DTC143ZETL
DTC143ZETL参数
| 额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 | 供应商器件封装 | EMT3 |
DTC143ZETL手册
DTC143ZETL概述
DTC143ZETL 产品概述
一、产品简介
DTC143ZETL 是由 ROHM（罗姆）公司设计并生产的一款高性能 NPN 数字晶体管，具备预偏置功能。其集成了多种特性，使其能够满足广泛的电子应用，如开关电路、放大器以及数字信号处理等。该晶体管采用表面贴装型设计，封装形式为 EMT3（SOT-416），使其在现代电子设备中便捷安装。
二、基本参数与特性
DTC143ZETL 的额定功率为 150mW，集电极电流 (Ic) 最大值为 100mA，集射极击穿电压 (Vce) 最大值为 50V。这些参数为该器件在不同应用场景下提供了良好的性能基础，尤其是在对功率和电流有一定要求的电路中。
- 额定功率：150mW
- 集电极电流 (Ic)：最大值为 100mA
- 集射极击穿电压 (Vce)：最大值为 50V
- 集电极截止电流：最大值为 500nA，显示出其优异的静态性能。
- 频率响应：跃迁频率为 250MHz，适合高频应用。
三、增益性能
DTC143ZETL 在不同集电极电流（Ic）和集电极-发射极电压（Vce）条件下具有良好的直流电流增益 (hFE)，在 10mA 的集电极电流和 5V 的条件下，最小增益可达 80。这一增益性能使得 DTC143ZETL 能够有效地进行信号放大，适用于数字逻辑电路和模拟电路。
四、饱和压降与基极电阻
在典型应用中，DTC143ZETL 在基极电流（Ib）为 250µA 和集电极电流 5mA 时的饱和压降最大为 300mV，这确保了其在开关状态下的高效性能。此外，推荐的基极电阻值为 4.7 kOhms，而发射极电阻为 47 kOhms，这样的阻值配置便于电路设计时的稳定性和可靠性。
五、封装与安装
DTC143ZETL 的封装形式为 SOT-416（EMT3），这种表面贴装型设计使其在自动化贴片生产中非常高效，适合高密度电子设备的应用。通过降低占用空间，它可以被广泛应用于各种便携式设备中，如手机、平板电脑以及各类消费电子产品。
六、应用领域
由于其出色的电性能，DTC143ZETL 可广泛应用于以下领域：
- 开关电路：在数字电路中用于实现高效开关控制。
- 信号放大：适用于音频放大器和射频放大器。
- Logic Level Conversion：在不同电平之间的转换。
- 控制电路：用于传感器和执行器的驱动。
七、总结
DTC143ZETL 作为一款高性能的 NPN 数字晶体管，不仅具备较大的工作电压和电流范围，还展现了出色的增益和低饱和压降特性。其创新的封装设计和预偏置功能使其在现代电子设备中得到了广泛的应用。无论是在消费电子、工业自动化还是其他技术领域，DTC143ZETL 均能提供可靠的性能和高效的解决方案，是电路设计工程师的优秀选择。
通过合理的电路设计和应用，DTC143ZETL 将为各类产品赋予更高的性能和更好的用户体验。