额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 2.2 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 20mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SMT3 |
产品概述:DTA123EKAT146 数字晶体管
一、产品简介
DTA123EKAT146是一款高性能的PNP型数字晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产,具有优良的电气特性和可靠的性能。DTA123EKAT146特别设计用于低功耗应用,适合需要简单开关和放大功能的电路。
二、主要特性
额定功率:DTA123EKAT146的额定功率为200mW,能够满足大多数常见电子设备的功率需求,确保在半导体应用中拥有较好的热性能和稳定性。
集电极电流(Ic):最大集电极电流为100mA,使其适合用于中等负载应用,能够直接驱动较小的电机、继电器或LED等负载。
集射极击穿电压(Vce):此晶体管具有50V的击穿电压,为设备提供了良好的耐压特性,适用于各种电源配置的电路中。
电流增益(hFE):在Ic为20mA,Vce为5V的条件下,其最小电流增益为20。这意味着在较低的基极电流下即可获得较大的集电极电流,适合用于数字电路和信号放大。
饱和压降:DTA123EKAT146在Ic为10mA时的饱和压降最大值为300mV,能够有效减少功耗,提升电路的整体效率。
截止电流(ICBO):该器件的集电极截止电流最大值为500nA,说明在没有基极电流的情况下,该晶体管能够保持较低的漏电流,确保电路的低功耗及稳定性。
频率响应:DTA123EKAT146拥有250MHz的跃迁频率,适合用于高频信号处理与开关应用,为高频电子电路设计提供了灵活性。
封装形式:该产品采用紧凑的TO-236-3(也称为SOT-23-3)封装,适合表面贴装技术(SMT),能够有效节省空间,提升电路的集成度。
三、应用领域
由于其优秀的性能特性,DTA123EKAT146可广泛应用于多个领域,包括但不限于:
电源管理:在开关电源、充电器和电源电路中作为开关元件,帮助实现高效的电流控制。
信号放大:可用于音频放大器和低信号处理电路,提升信号强度,保证信号的完整性。
开关应用:在自动化设备和电子开关中作为控制开关,实现快速响应和高效操作。
通信设备:在无线和有线通信设备中使用,可用于信号调制和解调过程。
传感器接口:适用于多种传感器的信号放大和转换,确保信号传输的准确性和稳定性。
四、总结
DTA123EKAT146作为一款高效、稳定的PNP数字晶体管,凭借其优越的电性能和广泛的适用性,在现代电子产品设计中扮演着不可或缺的角色。无论是在消费电子、工业控制还是通信领域,都建议设计师考虑使用这一高性能的元器件,以满足各种电气性能需求并提升产品的市场竞争力。ROHM以其可靠的品质和创新的设计,确保DTA123EKAT146能够在严苛的应用环境中长期稳定运行,是工程师理想的选择。