DTA114EETL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DTA114EETL

商品编码: BM0000287826
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.024g
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-416
库存 :
44419(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.542
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.542
--
200+
¥0.181
--
1500+
¥0.113
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTA114EETL参数

额定功率150mW集电极电流Ic100mA
集射极击穿电压Vce50V晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 5mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-75,SOT-416供应商器件封装EMT3

DTA114EETL手册

DTA114EETL概述

DTA114EETL 产品概述

DTA114EETL是一款由罗姆(ROHM)公司生产的数字晶体管,以其卓越的性能和广泛的应用潜力而备受青睐。该产品采用SC-75/SOT-416封装,具有出色的热管理性能和紧凑的体积,适用于各种电子设备的表面贴装需求。其额定功率为150mW,集电极电流Ic最大可达100mA,集射极击穿电压Vce高达50V,使其在多种工作环境下都能稳定运行。

主要参数

  1. 额定功率与电流特性 DTA114EETL的额定功率为150mW,集电极电流最大值为100mA,为多种低功耗应用提供了良好的支持。由于其低功耗特性,它非常适合在需要高效能与低热生成的场合使用,如便携式设备和电池供电的应用。

  2. 电压参数 此款PNP类型数字晶体管的集射极击穿电压(Vce)最高可达50V,表明其具有较好的电压耐受能力,能够适应较高电压的电路设计。这使得DTA114EETL非常适合用于电源开关、信号放大及其他需要高电压操作的场合。

  3. 增益与饱和压降 DTA114EETL在不同的Ib、Ic条件下展现出最小DC电流增益(hFE)为30(在5mA,5V下),使其在低电流驱动情况下依然能够保持良好的放大能力。其在最大电流500µA到10mA之间的饱和压降(Vce)为300mV,这进一步增强了它在开关电路中的有效性,确保了快速切换和较低的功耗。

  4. 频率特性 该元器件的跃迁频率达到250MHz,表明其在高频信号处理中的适用性,适合用于开关电源、射频放大器以及各种数字电路中,这使得其在现代电子设计中得到了广泛应用。

  5. 低截止电流 DTA114EETL的集电极截止电流(最大值)为500nA,确保在关闭状态下极低的漏电流,这对电池供电设备特别重要,因为它能够显著延长设备的使用寿命。

应用场景

DTA114EETL广泛应用于便携式电子设备、信号调节电路、开关电源、音频放大器、数字电路驱动等领域。由于其较高的工作电压和电流能力,以及卓越的频率响应,设计师能够在多个产品中部署此项技术,包括但不限于:

  • 手机与平板电脑:用于信号放大与切换,而能有效降低功耗。
  • 家用电器:在智能家居产品中,DTA114EETL能实现高效的功能操作,提升用户体验。
  • 汽车电子:在新能源车、自动驾驶汽车中,作为高效的信号处理单元。
  • 工业控制系统:可用于信号控制和条件监测,确保系统稳定运行。

总结

DTA114EETL作为一款高性能数字晶体管,以其高额定功率、高电流和电压输出能力,广泛的应用场景以及优良的频率响应性能,在众多电子应用中都展现出了无可比拟的优势。无论是在便携式设备的设计,还是在高性能电子系统的构建中,DTA114EETL都能为设计师提供可靠性和灵活性,是现代电子产品设计中不可或缺的优秀选择。