DNLS350E-13
DNLS350E-13参数
| 额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 3A |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 290mV @ 200mA，2A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 2A，2V | 功率 - 最大值 | 1W |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
DNLS350E-13手册
DNLS350E-13概述
DNLS350E-13 产品概述
一、产品基本信息
DNLS350E-13 是由DIODES（美台）公司制造的一款高性能 NPN 型晶体管，适用于大多数低功耗和中功耗电子电路。它采用 SOT-223 封装，具有出色的散热能力和小巧的体积，非常适合空间受限的设计需求。该晶体管的一系列重要参数决定了其在功率放大和开关应用中的广泛适用性，满足现代电子产品对高效能、紧凑尺寸和可靠性能的要求。
二、关键规格参数
额定功率：DNLS350E-13 的额定功率为 1W，这意味着在正常工作条件下，它能够稳定地处理高达 1W 的功率。
集电极电流 (Ic)：此器件的集电极电流最大值为 3A，适合用于高电流需求的应用场景，能够支持各种类型的负载。
集射极击穿电压 (Vce)：其集射极击穿电压最大值为 50V，这为设备提供了额外的安全余度，确保在电压波动情况下能够稳定工作。
饱和压降：在不同的集电极电流 （Ic）和基极电流（Ib）条件下，最大 Vce 饱和压降为 290mV（在 200mA 和 2A 时），这表明其低的开关损耗，适合高效能应用。
直流电流增益 (hFE)：在 2A 和 2V 的条件下，最小 DC 电流增益为 100，意味着它在开关电路中可以有效放大信号，提高电路的整体性能。
截止电流：最大截止电流 （ICBO）为 100nA，确保在关闭状态下的漏电流极低，提高电路效率。
工作频率：该晶体管拥有高达 100MHz 的跃迁频率，适合于高频开关和放大应用。
工作温度范围：DNLS350E-13 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，这使其适用于非常苛刻的环境，例如工业设备和汽车电子系统。
三、封装与安装
DNLS350E-13 采用 SOT-223 封装，表面贴装型设计，适合自动化焊接过程，降低生产成本，提高生产效率。同时，SOT-223 封装的设计使得其在散热方面具备良好的性能，确保设备在长时间高负载运行下的稳定性。
四、应用场景
凭借其广泛的电气参数，DNLS350E-13 NPN 晶体管在多个应用领域展现出极高的适用性，包括但不限于：
开关电源：在电源管理电路中用作开关器件，支持高频率操作，提高电源的效率。
信号放大：在音频、视频及其他信号处理电路中应用，提供必要的信号增强。
马达控制：能够驱动小型直流电机和其他负载，实现精确控制。
继电器驱动：在控制电路中，用作继电器驱动器件，有效实现自动化控制。
LED 驱动：在照明和显示电路中用于驱动 LED，满足多种照明解决方案。
五、总结
DNLS350E-13 NPN 晶体管是一款功能强大的电子元件，凭借其优秀的电气特性和广泛的适用范围，能够满足现代电子产品对高性能、高效率的需求。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，这款晶体管的性能和可靠性都能带给设计工程师极大的便利与支持。因此，DNLS350E-13 是任何寻求高效能开关和放大解决方案的设计人员的理想选择。