DMT4002LPS-13
DMT4002LPS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.8mΩ @ 25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 116.1nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6771pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 2.3W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerDI5060-8 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
DMT4002LPS-13手册
DMT4002LPS-13概述
DMT4002LPS-13 产品概述
DMT4002LPS-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有优异的电气特性和可靠的热性能，广泛应用于各种电子设备中。其主要参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ @ 25A, 10V
- 最大功率耗散：2.3W (Ta=25°C)
- 工作温度：-55°C ~ 150°C
- 封装形式：PowerDI5060-8
设计特点
DMT4002LPS-13 的设计旨在提供高效率和优良的散热性能，特别适合用于功率开关和电源管理应用。MOSFET采用了先进的金属氧化物半导体技术，具有低导通电阻和快速开关特性。这使得它在高频率和高电流的应用场合中表现突出。
超低的漏源导通电阻（1.8mΩ @ 25A, 10V）在保证电流通过时极大地降低了功耗，减少了发热，从而提升了整体系统的效率。这对电源转换、马达驱动和各种功率管理电路来说，能够显著降低电能损耗，达到节能效果。
电气特性
DMT4002LPS-13 的栅源极阈值电压为3V，适合与许多微控制器和数字电路直接相连。用户可以通过提供4.5V到10V的驱动电压来完全开启此 MOSFET，实现其最大导通能力。该器件的输入电容（Ciss）为6771pF @ 20V，确保其具备较快的开关响应能力，适合高频应用。同时，栅极电荷（Qg）的值为116.1nC @ 10V，这进一步表明其在快速开关频率下的高效性。
可靠性与稳定性
DMT4002LPS-13 具备宽广的工作温度范围，从-55°C 到 150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化及高温环境下的应用。此外，MOSFET 采用的封装形式 PowerDI5060-8 不仅有效减少了体积，提高了布局密度，同时也具备良好的热管理效果，提升了整体器件的可靠性。
应用场景
DMT4002LPS-13 可广泛应用于以下领域：
电源开关：在 DC-DC 转换器中，作为开关元件，以实现高效率的转换。
电机驱动：可用于直流电机驱动和步进电机驱动系统，提升电机控制和运行效率。
汽车电子：适用于汽车中各种功率开关、灯光控制及电源管理应用。
智能家居：在智能家居设备中，用于实现能源效率高的控制方案。
工业控制：被广泛用于工业自动化控制系统中，提高设备的可靠性和响应速度。
总结
DMT4002LPS-13 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，具备良好的电气特性与宽广的工作温度范围。其低导通电阻、快速开关特性及优质的散热能力，使其成为电源管理及高功率应用的理想选择。凭借其可靠性和灵活性，DMT4002LPS-13 将能满足各类电子设备的需求，推动高效能与智能化技术的发展。