DMS2120LFWB-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
W-DFN3020-8
包装 :
编带
重量 :
0.039g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 20V 2.9A 1个P沟道 DFN3020B-8-EP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.754按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.754
--
200+
￥0.52
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1500+
￥0.472
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMS2120LFWB-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.9A |
| 栅源极阈值电压 | 1.3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 95mΩ @ 2.8A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 2.8A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 632pF @ 10V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-DFN3020B（3x2） | 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
DMS2120LFWB-7手册
DMS2120LFWB-7概述
DMS2120LFWB-7 产品概述
产品简介
DMS2120LFWB-7 是一种高性能的 P 沟道 MOSFET，专为低功耗和高效率的电子电路设计，广泛应用于开关电源、负载开关以及电池管理系统等领域。该器件由 DIODES（美台）制造，封装为 8-DFN3020B 型，具有优越的电气性能和兼容性，能够满足多种工业和消费电子产品的需求。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 20V
- 此参数说明该 MOSFET 可以承受最大 20V 的漏源电压，使其适合用于较低电压工作的电路。
连续漏极电流 (Id): 2.9A（在 25°C 条件下）
- 该器件在额定条件下能够提供 2.9A 的连续漏极电流，适用于对电流有一定要求的场合。
栅源极阈值电压: 1.3V @ 250µA
- 栅源极阈值电压表示器件从关闭状态转为导通所需的最小栅源电压，1.3V 的数据有效地支持低电压驱动电路。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 95mΩ @ 2.8A, 4.5V
- 较低的导通电阻确保 MOSFET 在工作时发热量小，提高了工作效率，并降低了功耗。
最大功率耗散: 1.5W（在 Ta=25°C 时）
- 最大功率耗散能力使该器件能够在合理的散热条件下稳定工作，适合高功耗应用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围使得 DMS2120LFWB-7 可以在极端环境下运行，特别适合航空航天、汽车电子等对温度要求较高的应用。
输入电容 (Ciss): 632pF @ 10V
- 较小的输入电容能够提高开关频率，适合高速开关应用。
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
- 此功能允许设备在电源切换时实现更快的响应，减少系统延迟，提高整体性能。
应用场景
DMS2120LFWB-7 的设计使其非常适合以下场合：
- 开关电源: 在内部电流管理中起到开关作用，能够有效控制功率输出。
- 电池管理: 用于电池的充放电过程中的开关控制，确保高效能和安全使用。
- 负载开关: 由于其低 Rds(on) 和高工作温度能力，它可以很好地实现负载的开关控制，提升效能。
- LED 驱动: 在 LED 照明设备中用于强劲的电流传输，改善亮度和耗电。
封装与安装
该 MOSFET 的封装为表面贴装类型（W-DFN3020-8），尺寸为 3mm x 2mm，便于在现代紧凑型电子设备中进行安装。封装设计有助于提高散热效率，确保器件稳定性和寿命。
总结
DMS2120LFWB-7 是一款整合了多种优势参数的 P 沟道 MOSFET，适用于各种电子产品，尤其是在对功率效率和低电压操控有严格要求的应用场合。凭借其优越的性能和可靠性，该器件成为工程师设计现代电子设备时的理想选择。生产商 DIODES（美台）的声誉和该器件的高品质，使得 DMS2120LFWB-7 在市场上具有良好的竞争力。