DMP3036SSS-13
DMP3036SSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 19.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.4W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1931pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMP3036SSS-13手册
DMP3036SSS-13概述
DMP3036SSS-13 产品概述
产品简介
DMP3036SSS-13 是一款高性能的 P沟道 MOSFET，有效的满足了广泛电子应用中的高效能要求。其主要规格包括漏源电压（Vdss）为 30V，连续漏极电流（Id）为 19.5A，最大功率耗散为 1.4W，工作温度范围从 -55°C 到 150°C。这款 MOSFET 采用了流行的 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）封装，特别便于表面贴装（SMT）设计。
关键参数
漏源电压（Vdss）: DMP3036SSS-13 的漏源电压额定值为 30V，这使其能够在大多数中至低电压的电源管理应用中灵活使用。这个电压范围可以涵盖一般的逻辑电平应用，确保器件的稳定性和可靠性。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该器件的连续漏极电流可达到 19.5A，保证了在负载条件下的良好工作性能。这个电流能力使其能够适应多种功率需求的应用场景，可广泛用于电动机驱动、开关电源等。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: DMP3036SSS-13 的栅源阈值电压为 3V @ 250µA，确保低电压条件下的启动灵敏度。此外，其栅极电荷（Qg）在 10V 时最大值为 16.5nC，有助于提高开关速度，适合高速开关应用。
导通电阻（Rds(on)）: 它的漏源导通电阻为 20mΩ @ 9A, 10V，这一特性显著降低了导通损耗，有助于提升整体能效表现，降低系统发热。
功率耗散: DMP3036SSS-13 的最大功率耗散为 1.4W（Ta=25°C），意味着在正常运行温度下，器件可以安全而高效地处理所需的功率。
工作环境与应用
DMP3036SSS-13 具备宽广的工作温度范围，从 -55°C 到 150°C，使其适用于严苛的工业和汽车应用。这种耐高温性确保了其在高热环境下的可靠运行。
该器件可广泛应用于以下领域：
- 驱动电路: 主要用于电动机驱动、灯光调控或其他高电流负载的开关控制。
- 电源管理: 利用其低 Rds(on) 特性，优化电源转换器和稳压器的效率。
- 信号开关: 可应用于多种模拟和数字信号开关场合，提升系统的灵活性和反应速度。
总结
DMP3036SSS-13 是一款高效、可靠的 P沟道 MOSFET，适用于多种电子应用。它的低导通电阻、高电流承载能力、适中的阈值电压以及宽广的工作温度范围，使其成为电源管理和驱动电路设计的理想选择。选择 DMP3036SSS-13，用户可以在提高能效的同时，确保系统的稳定性和可靠性，满足各类工业和商业应用的需求。
总的来说，这款器件是集成电路设计师和电子工程师在开发新产品时，不容错过的优质选择。