DMP10H400SE-13
DMP10H400SE-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta），6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1239pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta）, 13.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
DMP10H400SE-13手册
DMP10H400SE-13概述
DMP10H400SE-13 产品概述
DMP10H400SE-13 是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），为电子设备提供高效的电流控制和功率管理解决方案。该器件由知名厂商DIODES（美台）出品，旨在满足现代电子电路对低导通电阻、高效率及可靠性的需求。
1. 产品特性
1.1 电气参数
- 漏源电压（Vdss）：该器件的漏源电压可高达100V，使其能够在较高电压的应用场景中稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境下，其连续漏极电流可达到2.3A，而在更高的环境温度情况下（如Tc=25°C），其连续电流能力可提升至6A。这一特性使其适用于多种电源管理和驱动应用。
1.2 导通电阻
- 在5A、10V的条件下，漏源导通电阻（Rds(on)）为250毫欧，确保在工作期间低能量损耗和高效率。该低导通电阻特性对于电源转换、开关电源及驱动电路尤为重要。
1.3 栅源极阈值电压
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）约为3V @ 250μA，意味着该MOSFET能够在较低的驱动电压下实现有效开关，降低了电路对驱动电压的要求。
2. 功率和散热特性
DMP10H400SE-13 的最大功率耗散能力为2W（在环境温度25°C下），而在更高的结温条件下（Tc=25°C）则可达到13.7W。这使得该器件可以在一定范围内承受较大功率负载，适应于各种功率转换及控制系统。同时，它具有-55°C至150°C的工作温度范围，可以在极端温度条件下稳定工作，适应不同的工业应用环境。
3. 电气驱动特性
在驱动电压方面，器件的驱动电压范围为4.5V至10V，可以充分满足大多数驱动需求。此外，器件的栅极电荷（Qg）在10V下为17.5nC，确保快速的开关速度和较低的驱动功耗。这对于高频应用尤其重要，如开关电源和其他快速切换的电路。
4. 封装和安装方式
DMP10H400SE-13采用SOT-223封装，适合表面贴装（SMD）设计。SOT-223封装不仅有助于减少PCB占用空间，同时也提供了良好的散热性能，适合高密度电子设备的设计要求。这种封装形式使得DMP10H400SE-13在小型化和集成度高的应用中，获得了广泛的应用。
5. 应用场景
由于其优异的电气参数和散热性能，DMP10H400SE-13可以广泛应用于：
- 电源管理电路
- 风扇控制电路
- 电动机驱动应用
- 开关电源和LED驱动电路
- 移动设备及无线通信设备
总结
总之，DMP10H400SE-13是一款具备卓越性能的P沟道MOSFET，为现代电子电路提供了优秀的电流控制和能量管理解决方案。其高电压承受能力、低导通电阻、宽广的温度范围及适应于紧凑设计的封装形式，使其在各类应用场景中都能展现出良好性能。无论是在工业设备、消费电子还是高频电路中，DMP10H400SE-13均能够胜任，为设计师和工程师提供可靠的解决方案。