DMN67D8LW-13
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
0.014g
描述 :
场效应管(MOSFET) 320mW 60V 240mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
51(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
0.229按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.229
--
500+
￥0.153
--
5000+
￥0.133
--
10000+
￥0.119
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60000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN67D8LW-13参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 240mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .82nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
DMN67D8LW-13手册
DMN67D8LW-13概述
DMN67D8LW-13 产品概述
概述
DMN67D8LW-13 是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应管），由知名品牌 DIODES（美台）制造，采用SOT-323封装。该器件特别适合于紧凑型电子设备的表面贴装应用，广泛应用于开关电源、电机控制、负载驱动及信号放大等领域。
关键参数
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装: SOT-323
- 最大漏极电流（Id）: 240mA（在25°C时连续操作）
- 最大漏源电压（Vdss）: 60V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（Rds On）: 最大值为5Ω（在500mA、10V时测得）
- 驱动电压（Vgs）: 5V至10V
- 最大功率耗散: 320mW（在25°C时）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 输入电容（Ciss）: 22pF（在25V时）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为0.82nC（在10V时）
- Vgs（最大值）: ±30V
- 不同Id时Vgs(th): 最大值为2.5V（在250µA时）
性能特点
DMN67D8LW-13 在设计上通过使用先进的MOSFET技术，实现了低导通电阻与高功率处理能力。其最大连续漏极电流为240mA，能够满足大多数小型电路的电流需求。该器件的高导通电阻（Rds On）特性可以减少能量损耗，从而提升电路效率，降低发热。
此外，DMN67D8LW-13 具有宽广的工作温度范围，从-55°C到150°C，赋予其在极端环境下的可靠性，使其适合用于多种工业应用和高温应用场合。
应用领域
- 开关电源: 由于其高效性能与低导通损耗，DMN67D8LW-13 非常适合用于DC-DC转换器和其他开关电源设计中。
- 电机控制: 可用于小型直流电机的驱动电路，帮助实现更高效的电机控制。
- 负载驱动: 适合用于控制大功率负载的开关，例如继电器和灯光控制。
- 信号放大: 由于其快速开关特性，DMN67D8LW-13 适合用于信号开关和放大应用，如射频应用。
寄生参数
DMN67D8LW-13 具备22pF的输入电容(Ciss)，该特性为，在高频率应用中能够提供稳定的开关响应。其栅极电荷(Qg)小于1nC，确保了快速的开关速度，可以在较小的驱动电流下实现可靠的开关操作。
结论
总之，DMN67D8LW-13 是一种性能卓越、应用广泛的N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高漏源电压和宽广的工作温度范围，成为许多电子设计师的理想选择。无论是在需要高效能的电源管理，还是在电机驱动和信号处理等各类应用中，DMN67D8LW-13均能表现出色。其卓越的可靠性和效率，使得该产品在现代电子设备中具有极大的应用潜力。