DMN601WK-7
DMN601WK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 300mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
DMN601WK-7手册
DMN601WK-7概述
DMN601WK-7 产品概述
DMN601WK-7 是一种高性能 N 通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)，广泛应用于各种电子电路，以满足高效能和集成的需求。该器件由 DIODES（美台）公司生产，设计用于提供可靠的开关和放大功能，尤其适合于低功率和中等功率应用。其主要特点和优势如下：
1. 技术规格
漏源电压 (Vdss): DMN601WK-7 的漏源电压高达 60V，能够在较高电压条件下稳定工作，适用于多种电力管理应用。
连续漏极电流 (Id): 器件在 25°C 下的连续漏极电流为 300mA，这使得它能够在多种电流负载下可靠运作，适合用于开关电源、LED 驱动等场合。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件具有非常低的栅源极阈值电压，最大值为 2.5V。在 1mA 的条件下，低阈值电压使得器件能够在较低的驱动电压下快速导通，提高了设计灵活性和效率。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 500mA 和 10V 的条件下，导通电阻最大为 2Ω。这一数值确保在常规操作中保持较低的功率损耗，并且提高整体电路效率。
2. 功率与热管理
最大功率耗散: DMN601WK-7 的最大功率耗散为 200mW（在 25°C 时），意味着该 MOSFET 能够在适度的功率环境下稳定运行，适合用于小型化设计。其宽广的工作温度范围 (-65°C ~ 150°C)使得该器件可以在极端环境下正常工作，进一步提升应用场景的多样性。
3. 封装与安装
DMN601WK-7 采用 SOT-323 封装，尺寸小巧，适合表面贴装 (SMD) 应用。这一特点使得其易于集成，适应高密度的电路板设计，同时也提供了良好的散热性能。
4. 应用场合
由于该器件具备的高耐压、低导通电阻及合理的功耗特性，DMN601WK-7 可以用于多种应用，包括但不限于：
- 开关电源：用于电源管理电路，控制电压和电流的开关。
- LED 驱动：在 LED 照明应用中用于控制灯光的开关，实现高效能和低功耗。
- 电动机驱动：在小型电动机控制电路中高效管理电流流动。
- 信号开关：在各种信号处理电路中，操作开关和放大功能。
5. 结论
总之，DMN601WK-7 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气性能、宽广的应用范围及小型化封装，成为了设计师和工程师在电子产品开发中的优秀选择。无论是高效的开关控制，还是在极端工作条件下的稳定性，DMN601WK-7 都能提供高水平的效能。通过正确的应用，该器件将为电子电路设计带来显著的价值和便利。