DMN5L06VK-7
DMN5L06VK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 280mA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 280mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DMN5L06VK-7手册
DMN5L06VK-7概述
产品概述：DMN5L06VK-7
1. 概述
DMN5L06VK-7 是一款高性能的双N沟道场效应管 (MOSFET)，专为低电压和低功耗应用设计。其强大的电气性能和可靠的温度特性，使其成为各种数码电路和开关电源应用的理想选择。由于其表面贴装封装（SOT-563），该元件适合高密度电路板布局，广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制装置等领域。
2. 主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 50V
- 连续漏极电流 (Id): 280mA (在25°C时)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻: 2Ω @ 50mA, 5V
- 最大功率耗散: 250mW (Ta=25°C)
- 温度范围: -55°C ~ 150°C
3. 电气特性
DMN5L06VK-7 的漏源电压达到 50V，适合需要中等电压保护的应用场景。其最大连续漏极电流为 280mA，意味着在正常工作条件下，该MOSFET可高效转换电流，适应各种负载需求。同时，栅源极阈值电压仅为 1V，确保在较低电压下启用，可以实现更低的功耗。导通电阻为 2Ω，能够降低在流经漏极电流时的压降，从而提高整体效率。
4.温度特性及可靠性
该器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，能够在严酷的环境条件下运行，确保其在高温或低温环境中仍能可靠工作。这一特点特别适合航空航天、汽车电子和其他要求高温稳定性的应用场景。
5. 封装与安装
DMN5L06VK-7 采用 SOT-563 封装，适合表面贴装技术（SMD），这使得其在现代微型化电路板上能有效节省空间。此外，SOT-563 封装也有助于改善散热性能及电气连接的可靠性。
6. 应用领域
DMN5L06VK-7 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 在高频开关电源中用作开关元件，提高转换效率。
- LED驱动电路: 用于提供高效的LED驱动，确保较小的功耗。
- 电机控制: 在小型电机或伺服系统中进行高效的开关控制。
- 数据通信: 在逻辑电平转换和信号处理模块中应用，实现低功耗的信号放大。
7. 竞争优势
DMN5L06VK-7 的小尺寸、高效率和适用广泛的电气特性，使其在市场上具有明显竞争优势。其优秀的高温性能和低功耗特性，进一步增强了在严苛条件下的可靠性。凭借美台（DIODES）品牌的良好声誉，DMN5L06VK-7 为设计工程师提供了一种安全可信赖的解决方案。
8. 结论
DMN5L06VK-7 是一款功能强大且设计精巧的双N沟道MOSFET，适合多种高效电源管理需求的应用。凭借其卓越的技术参数、宽广的工作温度以及紧凑的封装设计，该器件将极大地促进现代电子设计的创新与发展。 此外，作为消费者和研发人员的优选，DMN5L06VK-7 将为电子产品的功能和性能提升提供强大保障。