DMN5L06VAK-7
DMN5L06VAK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 280mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 280mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
DMN5L06VAK-7手册
DMN5L06VAK-7概述
DMN5L06VAK-7 产品概述
DMN5L06VAK-7是一款双N沟道场效应管（MOSFET），在功率电子领域中广泛应用，特别适用于低功耗和逻辑门驱动电路。这款MOSFET具有优异的电气性能和出色的热管理能力，使其在各种应用中表现出色，包括电源管理、开关调节、信号调理以及驱动电机等场景。
主要参数和特性
漏源电压 (Vdss): DMN5L06VAK-7的漏源电压额定值为50V，允许器件在高电压环境下安全工作。这使得它特别适合用于高电压驱动的应用，如电机驱动和功率放大器。
连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流可达280mA。这一参数对于实用电路至关重要，因为它确保了器件能够在不超出安全范围的情况下提供稳定的电流输出，从而提高系统的可靠性和效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): DMN5L06VAK-7的栅源阈值电压为1V @ 250µA。当栅极电压达到此阈值时，MOSFET开始导通，这一特性使得它能够在低电压逻辑控制下实现高效切换，尤其适用于低功耗和电池供电的设备。
漏源导通电阻 (RDS(on)): 此MOSFET的漏源导通电阻为2Ω（@ 50mA，5V）。这一较低的导通电阻可以显著减少开关损耗，并提高电源效率，尤其在需要频繁开关的应用场景中尤为重要。
输入电容 (Ciss): 在25V时，输入电容最大值为50pF。这一特性在高频切换应用中表现尤为关键，低输入电容可提升开关速度，并降低高频操作时的功耗。
功率耗散: DMN5L06VAK-7的最大功率耗散为250mW，工作温度范围广泛（-55°C至150°C），可以在严苛环境中稳定工作。这使得该MOSFET适用于工业及汽车等高温运行的应用领域。
封装及安装类型: 此元件采用SOT-563封装，属于表面贴装型（SMD），便于自动化生产和设计紧凑型电路。其小巧的外形适合高密度集成的现代电子产品设计。
应用场景
DMN5L06VAK-7广泛应用于各类电子电路，尤其是在以下领域表现良好：
电源管理: 由于其低导通电阻和适中的电流承载能力，该MOSFET能够有效地用于电源转换器和DC-DC变换器中，降低功率损耗。
逻辑电平门: 适合作为逻辑级别控制的开关，常用于微控制器或FPGA的逻辑电平接口。
电机驱动: 可在DC电机和步进电机驱动电路中使用，用于控制电机的启停和速度调节。
开关电源: 在开关电源及相关设备中，用于实现高效的开关控制。
信号调理电路: 能够在模拟信号处理及前置放大电路中用于信号的开关处理。
总结
DMN5L06VAK-7是一款性能卓越、用途广泛的双N沟道场效应管。凭借其优秀的电气特性和高温工作能力，使其在复杂的电子应用中表现出色，能够满足现代电子设计对于高效、可靠和低功耗特性的追求。无论在消费类电子产品还是工业自动化设备中，DMN5L06VAK-7都是一个理想的选择。