DMN30H4D0LFDE-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
U-DFN2020-6
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 630mW 300V 550mA 1个N沟道 UDFN2020-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.73按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.73
--
100+
￥1.38
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750+
￥1.23
--
1500+
￥1.16
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN30H4D0LFDE-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 300V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 550mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4Ω @ 300mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 630mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 550mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 300mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 187.3pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 630mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | U-DFN2020-6（E 类） | 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
DMN30H4D0LFDE-7手册
DMN30H4D0LFDE-7概述
DMN30H4D0LFDE-7 产品概述
概览
DMN30H4D0LFDE-7 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为高电压和中等电流应用设计。其具有高达 300V 的漏源电压（Vdss）和 550mA 的连续漏极电流（Id），这使其成为在各种电源管理和开关应用中非常理想的选择。该产品突出显示的高功率耗散能力和宽工作温度范围使其在极端环境下也能可靠工作。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 300V
- 连续漏极电流（Id）: 550mA（在 25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.8V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 4Ω @ 300mA，10V
- 最大功率耗散: 630mW（在 Ta = 25°C）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
- 封装类型: U-DFN2020-6（表面贴装型）
- 输入电容（Ciss）: 187.3pF @ 25V
- 栅极电荷（Qg）: 7.6nC @ 10V
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
设计与应用
DMN30H4D0LFDE-7 的设计使其在诸如开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动以及其他要求高电压与高效率的电路中具有广泛应用。在现代电子设计中，MOSFET 作为开关器件的重要性越来越突出，尤其是在提升能效和减少功耗方面。
该 MOSFET 的低导通电阻使其在导通状态下损耗较小，进而提高了电路的效率。此外，其高达 630mW 的功率耗散能力确保了在较高负荷下也能够稳定工作，而不易过热，从而增强了设备的可靠性。
封装与安装
DMN30H4D0LFDE-7 使用 U-DFN2020-6 封装，这种封装方式不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能。表面贴装技术（SMT）使其能够适应该现代电子产品对小型化和高密度的需求。通过合理的焊盘设计，可保证其在 PCB 上的稳定性和可靠性。
性能优势
- 高电压和电流能力: 能够处理高达 300V 的漏源电压和 550mA 的漏极电流，适合各种高电压应用。
- 低导通电阻: 4Ω 的导通电阻大幅度降低了在开关状态下的功耗。
- 广泛的工作温度范围: 满足 -55°C 至 150°C 的工作温度，确保在极端环境中也能正常工作。
- 小型封装: U-DFN2020-6 表面贴装封装节省空间，并提升了设计灵活性。
结论
在高性能电源管理和开关应用中，DMN30H4D0LFDE-7 N 沟道 MOSFET 是一种非常理想的选择。其卓越的电气性能与宽广的工作环境适应能力，使其不仅适用于消费电子产品，也可用于工业和汽车等要求严格的应用场合。结合其小型封装设计，DMN30H4D0LFDE-7 如今正受到设计工程师的广泛青睐。