DMN3053L-7
DMN3053L-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 45mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 760mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 45 毫欧 @ 4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 676pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 760mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN3053L-7手册
DMN3053L-7概述
DMN3053L-7 产品概述
产品简介 DMN3053L-7是一款高性能N沟道MOSFET，具有耐用性和高效能，以适应各种电子电路设计需求。该元器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合表面贴装（SMD）技术，使其在紧凑型电子应用中更具灵活性。其主要特点包括漏源电压（Vdss）最高可达到30V、连续漏极电流（Id）在25°C时可达4A，此外，典型的漏源导通电阻为45毫欧，确保在高电流应用中有较低的功率损耗。
电气特性
漏源电压（Vdss）: 在30V的工作条件下，此MOSFET能够有效地处理漏源电压，适用于多种中低压的开关及放大电路。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境下，DMN3053L-7可以承载高达4A的电流，满足高负载需求的电路设计。
导通电阻（Rds(on)）: 在4A和10V的条件下，导通电阻为45毫欧，确保在开启状态下具有极低的功耗和发热，提高了电源效率并延长了设备寿命。
栅源级阈值电压（Vgs(th)）: 为1.4V @ 250µA相对较低的阈值电压意味着该MOSFET在较低的栅极电压下即可开启，有利于低电压驱动应用。
栅极电荷（Qg）: 在10V时，栅极电荷为17.2nC，这对于高频开关应用非常重要，有助于减少开关损耗。
环境与热性能 DMN3053L-7具备广泛的工作温度范围，从-55°C至150°C，适合在严苛环境下使用。其最大功率耗散为760mW（在25°C时），使得在设计中可以更灵活地控制散热，确保MOSFET的稳定性与可靠性。
封装与安装 该产品采用SOT-23封装，尺寸小，便于在现代电子产品中进行高度集成。SOT-23封装的优点包括良好的热导性及电气性能，适用于手机、平板电脑及其他便携式设备等对空间要求严格的应用。
应用场景 DMN3053L-7广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 在DC-DC转换器中作为开关元件，提高转化效率。
- 电机驱动: 用于控制直流电机的启停及调速，尤其是在小型电动工具和家电中具有广泛应用。
- LED驱动: 在LED照明系统中，作为调光和驱动电路的重要组成部分。
- 便携式设备: 由于其小巧的体积和高效的性能，非常适合在智能手机、平板等设备中使用。
品牌与供应 DMN3053L-7由美台（DIODES）品牌出品，确保元器件的高品质与可靠性。作为市场上广泛认可的品牌，DIODES为用户提供持续的技术支持和后续服务。
总结 DMN3053L-7是一款低电压、高灵活性的N沟道MOSFET，凭借其小巧的SOT-23封装和出色的电气性能，成为现代电子应用中理想的选择。无论是开关电源、电机驱动还是LED照明，DMN3053L-7都展现出卓越的性能，满足用户对效率和可靠性的高要求。