DMN2600UFB-7
DMN2600UFB-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.3A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 350mΩ @ 200mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 540mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .85nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 70.13pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-X1DFN1006 | 封装/外壳 | 3-UFDFN |
DMN2600UFB-7手册
DMN2600UFB-7概述
DMN2600UFB-7 产品概述
一、概述
DMN2600UFB-7 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，由美台（DIODES）公司生产。该器件采用先进的 MOSFET 技术，具有优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备和电源管理电路中。其主要特点和参数使其适合在低电压和中等功率的环境中运行，能够在确保效率的前提下，实现卓越的电流控制。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为 25V，适用于大多数低电压电源和信号处理应用。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，DMN2600UFB-7 的最大连续漏极电流为 1.3A，能够满足较高电流要求的电路设计。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：该产品的栅源极阈值电压为 1V @ 250µA，这意味着在较低的栅电压下，器件就能开始导通，有助于实现快速开关。
漏源导通电阻（Rds(on)）：其导通电阻为 350mΩ @ 200mA 和 4.5V，保证了在导通状态下的低功耗损耗。
最大功率耗散：在 25°C 的环境温度下，该器件支持最大功率耗散为 540mW，方便在高温环境下运行。
工作温度范围：DMN2600UFB-7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在严苛环境中使用。
栅极电荷（Qg）：其栅极电荷为 0.85nC @ 4.5V，表明该器件在驱动时所需的栅电荷较少，有助于提升开关速度。
输入电容（Ciss）：最大输入电容为 70.13pF @ 15V，能够有效降低开关损耗。
三、封装与安装
DMN2600UFB-7 采用 X1-DFN1006-3 表面贴装封装，封装尺寸小巧，有助于节省电路板空间，并便于实现高密度设计。这种封装类型不仅提高了可靠性，还简化了安装过程，使其适合于现代电子设备的小型化趋势。
四、应用场景
由于其卓越的性能，DMN2600UFB-7 被广泛应用于多种领域：
- 电池管理：适用于锂电池和续航设备中，帮助实现高效的电源切换和充电管理。
- 开关电源：作为高效的开关元件，支持 DC-DC 转换，高效实现电源供应。
- 信号开关：可用于信号选择电路，保证低信号损耗和快速切换响应。
- 电机驱动控制：在小型电机控制中，提供高效的电流控制，改善电机性能。
五、总结
DMN2600UFB-7 是一款卓越的 N 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高速开关特性和广泛的操作温度范围，适合用于各种低到中等电压和功率的电子设备。随着电子设备对功耗和体积的要求日益提高，该器件将更广泛地应用于电池驱动设备、开关电源及各类电源管理技术中。通过选择 DMN2600UFB-7，设计师能够优化电路性能，降低能耗，实现更可靠的电子产品设计。