DMMT5551-7-F
DMMT5551-7-F参数
| 晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 | 集电极电流Ic | 200mA |
| 集射极击穿电压Vce | 160V | 额定功率 | 300mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V | 功率 - 最大值 | 300mW |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
DMMT5551-7-F手册
DMMT5551-7-F概述
DMMT5551-7-F 产品概述
一、产品概述
DMMT5551-7-F 是一款高性能的 NPN 型双晶体管，设计用于广泛的电子应用。这款产品属于 DIODES（美台）品牌，具有出色的电气性能和可靠性，适合需要高频率操作和较大电流的各种电路。该器件的封装形式为 SOT-26，方便进行表面贴装，使其在现代电子设备中易于使用。
二、主要规格
晶体管类型：该元器件为双 NPN 配对，意味着其内部包含两个相同的 NPN 晶体管，有助于提高电路的集成度和效率。
集电极电流 (Ic)：DMMT5551-7-F 的集电极电流最大值为 200mA，这使得其能在较大电流的应用中稳定工作，例如开关电源和功率放大器等领域。
集射极击穿电压 (Vce)：该晶体管的最大集射极击穿电压为 160V，能够满足高电压条件下的应用需求，确保在恶劣电气环境中仍然具备良好的工作性能。
功率额定：额定功率高达 300mW，适合高功率的应用，保障其在高负载下也能稳定运行。
饱和压降 (Vce(sat))：在 5mA 和 50mA 集电极电流时，最大饱和压降为 200mV，确保在开关操作中能有效降低功率损耗，提高整体效率。
截止电流 (ICBO)：在截止状态下，集电极的最大漏电流为 50nA，极低的漏电流使得在静态工作状态下能有效减少功耗。
直流电流增益 (hFE)：该晶体管在 10mA 集电极电流和 5V 供电时的最小直流电流增益为 80，说明其在放大电流方面的优秀能力。
频率响应：DMMT5551-7-F 的跃迁频率为 300MHz，适合于高速信号处理和射频应用，能够满足高频应用场景的需求。
工作温度范围：可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适应各种环境条件，使其在工业、汽车及航空航天等多个行业中均可使用。
封装特点：采用 SOT-26 封装，尺寸小且具有良好的热管理性能，适用于高密度的电路板布局。
三、应用场景
DMMT5551-7-F 适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 开关电源：在开关电源设计中，能够高效转换电压，并具备低功耗的特性。
- 功率放大器：用于音频放大或信号放大，具备良好的增益特性。
- 电流控制电路：可用于各种电流控制及调节电路中，提供可靠的电流放大效果。
- 光通信系统：由于其高频性能，该元器件非常适合用于光纤通信中的信号放大。
- 工业控制设备：可用于温度、压力等传感器的信号放大，适应严苛的工业环境。
四、总结
总之，DMMT5551-7-F 是一款性能优越、应用广泛的 NPN 型双晶体管，凭借出色的电流和电压额定值，以及低功耗特性，成为多种电子设备和系统的理想选择。无论是在高频要求的信号处理、严格的工业环境还是现代电源管理领域，DMMT5551-7-F 均能够提供可靠的解决方案，满足设计人员和工程师对高性能元件的迫切需求。