DMMT5401-7-F 产品实物图片
DMMT5401-7-F 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMMT5401-7-F

商品编码: BM0000287793
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT26
包装 : 
编带
重量 : 
0.054g
描述 : 
三极管(BJT) 300mW 150V 200mA PNP SOT-26
库存 :
8300(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.649
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.649
--
200+
¥0.447
--
1500+
¥0.407
--
3000+
¥0.38
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMMT5401-7-F参数

额定功率300mW集电极电流Ic200mA
集射极击穿电压Vce150V晶体管类型2 PNP(双)配对
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200mA电压 - 集射极击穿(最大值)150V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 10mA,5V功率 - 最大值300mW
频率 - 跃迁300MHz工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-26

DMMT5401-7-F手册

DMMT5401-7-F概述

DMMT5401-7-F 产品概述

1. 引言

DMMT5401-7-F 是一种高性能的PNP型双极晶体管(BJT),主要用于功率放大和开关应用。其广泛的工作温度范围、优秀的频率响应和高击穿电压使其非常适合于现代电子设备中对性能和稳定性有高要求的应用。

2. 主要规格

DMMT5401-7-F 的关键参数如下:

  • 额定功率: 300mW
  • 集电极电流 (I_c): 最大200mA
  • 集射极击穿电压 (V_{ce}): 最大150V
  • 饱和压降 (V_{ce(sat)}): 在5mA和50mA下最大为500mV
  • 集电极截止电流 (I_{CBO}): 最大50nA
  • 直流电流增益 (h_{FE}): 在10mA和5V下最小为60
  • 工作温度范围: 从-55°C 到 150°C
  • 频率跃迁: 最高可达300MHz
  • 封装类型: SOT-26表面贴装

3. 封装与安装

DMMT5401-7-F采用SOT-26封装,这使得它在电路板上的占地面积小,适合高密度的电子设计。表面贴装技术(SMT)不仅减少了安装时间和生产成本,还提高了产品的可靠性。

4. 应用场景

DMMT5401-7-F 被广泛应用于各种电子设备中,例如:

  • 音频放大器: 其低噪声特性和高频带宽使其适用于音频信号的处理。
  • 开关电路: 具有良好的饱和特性,可以有效控制大电流负载。
  • 信号放大器: 在低功耗应用中,能够提供良好的增益和线性度。
  • 射频应用: 其高频特性使得它可用于射频放大和调制解调传输中。

5. 性能优势

DMMT5401-7-F 提供了一系列性能优势,包括:

  • 高效能: 其最大200mA的集电极电流和150V的击穿电压使其适合处理高功率应用。
  • 低功耗: 额定功率为300mW,适合于低功耗设计。
  • 宽工作温度范围: -55°C到150°C的工作温度适应了极端环境下的工作。
  • 良好的频率响应: 300MHz的频率响应适用于高频应用。

6. 使用建议

在设计使用DMMT5401-7-F的电路时,建议关注以下几点:

  • 热管理: 由于功率损耗的存在,需考虑适当的散热措施,以防止晶体管过热。
  • 偏置电流设置: 确保偏置电流在合适范围内,以获得最佳的增益和饱和特性。
  • 电源管理: 在驱动大电流负载时,需确保电源电压和电流能力足够满足设计要求。

7. 结论

总之,DMMT5401-7-F是一款功能强大而可靠的PNP型晶体管,凭借其优异的参数和广泛的应用设计选项,适合多种电子设计需求,无论是在消费电子、工业设备还是嵌入式系统中都有着广泛的应用前景。设计师们在选择合适的电子元器件时,DMMT5401-7-F无疑是一个值得考虑的优质选择。