DMG4413LSS-13
DMG4413LSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10.5A |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5mΩ @ 13A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.7W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 13A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4965pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SOP | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMG4413LSS-13手册
DMG4413LSS-13概述
DMG4413LSS-13 产品概述
产品简介 DMG4413LSS-13 是一款高性能的 P 型沟道功率 MOSFET，旨在满足广泛的电子应用需求。此器件能够在多种环境下运行，具备出色的电气参数和热性能，特别适用于低压和高电流的开关电源、电源管理、马达驱动和其他高效能的电源应用。
基本参数 DMG4413LSS-13 的漏源电压（Vdss）达到 30V，使其在低压应用中具有良好的适应性。同时，器件的连续漏极电流（Id）可达到 10.5A（在 25°C 环境下），为设计师提供了灵活性和高效的电流处理能力。在电路中，该器件的漏源导通电阻 Rds(on) 在 13A 和 10V 的条件下为 7.5mΩ，表现出极低的导通损耗。
电气特性 DMG4413LSS-13 的栅源阈值电压 Vgs(th) 为 2.1V（在 250µA 测试条件下），使其兼容多种驱动电压，提供了更广泛的控制范围。最大驱动电压可达到 ±20V，使得该器件在不同驱动条件下运作稳定。此外，在 5V 的驱动下，栅极电荷 Qg 的最大值为 46nC，这保证了快速开关能力，适合高频应用。
输入电容（Ciss）在 15V 时达到了 4965pF，提供了良好的输入响应性能和简化了相关驱动电路的设计。
功率耗散与热特性 DMG4413LSS-13 的最大功率耗散为 1.7W（在环境温度 Ta=25°C 时），使其可以在较高的功率条件下有效工作。同时，工作温度范围为 -55°C 到 150°C（TJ），旨在满足不同工业应用的严苛要求。
封装与安装 该器件采用表面贴装型（SMD）封装，规格为 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)，这使其在实际应用中更易于焊接和安装，同时也有助于缩小整体电路板的占用面积，提升设计灵活性。
应用领域 DMG4413LSS-13 可广泛应用于各类需较高性能的电子设备，包括但不限于：
- 电源管理设计: 由于其低导通电阻和高电流处理能力，DMG4413LSS-13 适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器与电池管理系统。
- 马达驱动: 可用于无刷直流电机和步进电机驱动，提供可靠的控制和低能耗。
- 其他高功率需求: 适合用于智能家电、工业控制、通信设备等实现高效能操作的场合。
总结 综上所述，DMG4413LSS-13 凭借其高性能的电气特性、出色的热性能以及广泛的适应场合，成为电子设计工程师理想的选择。无论是在功率转换还是电源管理方面，该 MOSFET 都能有效地提升整个电路的工作效率和可靠性。选择 DMG4413LSS-13，将为你的电子设计带来更高的灵活性和更佳的性能。