DMG4407SSS-13
DMG4407SSS-13参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9.9A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 11mΩ @ 12A,20V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.45W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，20V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2246pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 1.45W（Ta） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
DMG4407SSS-13手册
DMG4407SSS-13概述
产品概述：DMG4407SSS-13 MOSFET
基本信息 DMG4407SSS-13 是一款高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌 Diodes（美台）生产。该产品采用 SO-8 表面贴装封装，专为需要高效率和低导通损耗的应用而设计。其主要规格包括：漏源电压 (Vdss) 为 30V，连续漏极电流 (Id) 在 25°C 时可达到 9.9A，最大功率耗散为 1.45W，工作温度范围广泛，能在 -50°C 到 150°C 之间稳定运行。这款 MOSFET 凭借其优越的技术参数，适应用于多个领域，如电源管理、低压电机驱动和开关电源等。
技术参数详解
漏源电压 (Vdss): DMG4407SSS-13 的漏源电压为 30V，意味着它适用于相对较高电压的电子设备。该参数确定了该 MOSFET 在开启和关闭状态之间的安全工作范围，确保其能够在较高电压条件下稳定工作。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，DMG4407SSS-13 可承载的连续漏极电流为 9.9A，这使得它在功率转化和控制电流的应用中具有足够的能力。
导通电阻 (Rds(on)): 该 MOSFET 的漏源导通电阻为 11mΩ，这是在 12A 和 20V 的条件下测量得到的。较低的导通电阻意味着在导通状态下电能损耗更小，从而提高了整体效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): Vgs(th) 为 3V，这个值表示 MOSFET 开始导通所需的最低栅源电压。在设计电路时，设计师可以据此选择合适的栅极驱动电压，确保 MOSFET 在所需条件下正常工作。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅极驱动电压下，栅极电荷为 20.5nC。这个参数影响开关速度，越低的栅极电荷通常意味着 MOSFET 可以更快地开关，适合高频应用。
输入电容 (Ciss): 输入电容值为 2246pF，这影响到 MOSFET 的开关性能，需要合理选择驱动电路以避免降低开关效率。
应用领域 DMG4407SSS-13 MOSFET 广泛用于各种电子设备中，尤其是在高效能电源管理和开关应用中。以下是一些具体的应用场景：
- DC-DC 转换器：在电源转换过程中，使用该 MOSFET 可以减小能耗，提高转换效率。
- 电机驱动：适合用于低压电机驱动，由于其较高的电流承载能力和低 Rds(on)，可以有效控制电机的启动和运行。
- 开关电源：在开关电源设计中，DMG4407SSS-13 的低导通电阻和高电流能力使其成为理想选择，帮助优化电源效率并减小热量产生。
- 消费电子和汽车电子：这种 MOSFET 适合应用在消费类电子产品和汽车电子设备中，包括智能手机、平板电脑以及汽车的电源管理系统。
总结 整体而言，DMG4407SSS-13 MOSFET 提供了一种高效、可靠的解决方案，能够满足众多现代电子设备对电源管理和控制的需求。其优秀的电气特性、宽广的工作温度范围以及小巧的封装使其成为电子设计工程师的优选元件，适应多种应用场合并提升整个系统的运行效率与可靠性。