DMG3420U-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 740mW 20V 5.47A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
17347(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.364按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.364
--
200+
￥0.235
--
1500+
￥0.205
--
3000+
￥0.181
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG3420U-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.47A |
| 栅源极阈值电压 | 1.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 29mΩ @ 6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 740mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.47A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 29 毫欧 @ 6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.4nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 434.7pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 740mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG3420U-7手册
DMG3420U-7概述
DMG3420U-7 产品概述
概述： DMG3420U-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物场效应晶体管 (MOSFET)，其设计旨在满足高效能及高密度应用的需求。该器件采用 SOT-23 封装，具备出色的电气性能，能够在宽广的工作温度范围内可靠运行，适合用于电源管理、开关电源、负载驱动等多种应用场景。
关键参数：
- 漏源电压 (Vdss)：最大可支持 20V，使其适合低压到中压的应用。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 时，最大漏极电流可达到 5.47A，展示了该器件在许多电源和负载驱动场合中强大的驱动能力。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th))：最低需求电压为 1.2V（@250μA），确保该器件能够以相对较低的栅压实现导通，从而降低系统的驱动功耗。
- 导通电阻 (Rds(on))：在 6A 和 10V 驱动下，漏源间典型导通电阻为 29毫欧，这一特性有助于在开启状态下降低功耗和热量释放，从而提升整体能效。
- 最大功率耗散：该器件在 25°C 时的最大功率耗散能力为 740mW，表明其在常规应用中能够保持良好的热管理性能。
结构与封装： DMG3420U-7 采用 SOT-23 封装，这种紧凑的表面贴装设计有助于节省电路板空间，使设计师能够更轻松地在小型化设备中使用。同时，SOT-23 封装对于热传导的表现也符合高效率要求，适合在发热较大的应用场合中使用。
应用领域：
- 开关电源管理：由于其高电流处理能力和低导通电阻，DMG3420U-7 非常适合用于开关电源的输出级，提升转换效率并降低发热。
- 电机驱动：作为电机驱动接口中的开关元件，该 MOSFET 可以高效控制电机的启停和调速，实现精准控制。
- 负载开关：在电源管理和负载控制场合，例如 LED 驱动、家用电器的电源开关等，DMG3420U-7 提供了可靠的高效开关解决方案。
- 电池管理系统：在可再生能源和电池管理系统中，DMG3420U-7 可以用作开关和监测元件，以优化充电和放电过程，延长电池寿命。
温度与散热管理： DMG3420U-7 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其在各种苛刻环境中依旧保持稳定性能。封装设计和材质使得该器件具备良好的热传导性，确保在高功率应用中能够有效管理温升。
结论： 通过以上参数和应用分析，DMG3420U-7 MOSFET 显示了其在现代电子设备中的强大应用潜力。无论是在电源管理、负载驱动还是系统集成方面，这款器件都展现了极佳的性能与可靠性，成为工程师在设计高效能电路时的理想选择。