漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4.2A |
栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 52mΩ @ 4.2A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.4W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.2A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.2nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 808pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 1.4W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
DMG2305UX-7是一款高性能的P沟道MOSFET,由知名品牌DIODES(美台)生产,广泛应用于各种电子电路中,如开关电源、负载开关、马达驱动等。这款MOSFET以其低导通电阻和高电流承载能力,成为设计师在选择功率开关元件时的重要选择。
低导通电阻: DMG2305UX-7在4.2A和4.5V条件下,具有52mΩ的低导通电阻,使其在处理较大电流时能有效减少功率损耗,从而提高系统的能效。
良好的开关特性: 该MOSFET的门极电荷(Qg)为10.2nC,低门极电荷可以实现快速开关,从而提高电路的工作频率和响应速度,使其在高频应用中表现出色。
优良的阈值电压特性: DMG2305UX-7的栅源极阈值电压为900mV,这意味着在较低的栅驱动电压下,它能够迅速进入导通状态,使电路设计更加灵活和高效。
宽广的工作温度范围: 该器件的工作温度范围从-55°C到150°C,确保其在极端环境下仍能可靠工作,适用于汽车电子、工业控制、消费电子等多种领域。
紧凑的封装设计: SOT-23封装提供了极小的PCB占据空间,适合于要求空间通过和低重心的设计,尤其在便携式设备和高密度电路板中表现突出。
DMG2305UX-7凭借其性能适应性,广泛应用于多种电子设备中,包括:
DMG2305UX-7是一款优质的P沟道MOSFET,凭借低导通电阻、高电流处理能力和良好的开关特性,使得它成为现代电子电路设计中不可或缺的组件。它的高可靠性和广泛的应用领域,使得DMG2305UX-7在众多电子产品中占据重要地位,为设计师提供了出色的设计灵活性和系统性能。无论是在汽车、工业还是消费电子,DMG2305UX-7都能够以卓越的性能满足严苛的应用需求。