DMC3035LSD-13
DMC3035LSD-13参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N和P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.9A，5A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 6.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.6nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 384pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
DMC3035LSD-13手册
DMC3035LSD-13概述
DMC3035LSD-13 产品概述
一、基本信息
DMC3035LSD-13 是一款高性能的绝缘栅场效应管（MOSFET），其封装形式为8-SOIC（0.154"，3.90mm宽），采用表面贴装（SMT）技术，具有良好的热管理和电性能，适合各种电子应用。该产品由抚台半导体（DIODES）制造，特别设计用于逻辑电平门的应用，能够有效地在低电压驱动情况下切换高电流。
二、电气特性
DMC3035LSD-13 MOSFET 具备较高的漏源极电压（Vds）额定值，达到30V，使其能够广泛应用于多样的电源、电机控制以及信号处理等领域。在25°C的环境温度下，该MOSFET的连续漏极电流可达6.9A（N沟道）和5A（P沟道），充分满足中小功率负载的驱动需求。
导通电阻（Rds(on)）在不同Id、Vgs条件下最大值为35毫欧，这一低阻抗设计使得器件在导通状态下的功耗显著降低，提升了系统的能效。该MOSFET还具有较低的栅极电荷（Qg）值，为8.6nC @ 10V，意味着其在开关过程中所需的驱动功率较低，适用于高频应用。
此外，DMC3035LSD-13的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V @ 250µA，保证能够在低电压逻辑信号下顺利开启，同时维持良好的关断性能。
三、输入和输出特性
在输入电容（Ciss）方面，该器件的最大值为384pF @ 15V，具有相对小的输入电容能够有效减少输入信号的耦合损失，从而提高开关速度与系统的响应时间。这对于提升开关电路的效率尤为关键，特别是在快开关应用中。
DMC3035LSD-13还具备在较宽的温度范围内工作的能力，工作温度范围达到了-55°C到150°C（TJ），确保在恶劣环境条件下也能稳定工作，适应各类工业及消费类电子产品。
四、封装与应用
该MOSFET采用8-SOP封装，通过其紧凑的设计可与多种PCB布局兼容，适合于空间受限的应用场景。表面贴装的设计便于自动化生产，提高了生产效率与组装精度。DMC3035LSD-13适用于各种应用，包括但不限于：
- 电源管理：适合用于多种电源转换器、开关电源的输出开关。
- 电机驱动：可应用于DC电机和步进电机的驱动电路。
- LED驱动：在LED照明和显示中用于Switch或PWM控制。
- 负载开关：搭建基于电压控制的负载开关，适合用于智能家居或自动化设备。
五、总结
总的来说，DMC3035LSD-13是一款综合性能优异的MOSFET，凭借其高效的电气特性、良好的热稳定性和广泛的工作温度范围，成为了各类电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、信号处理还是负载控制中，都能发挥出色的性能，助力设计工程师实现高效可靠的产品解决方案。