DMC2004VK-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMC2004VK-7

商品编码: BM0000287782
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.012g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 450mW 20V 670mA;530mA 1个N沟道+1个P沟道 SOT-563
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.997
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.997
--
200+
¥0.767
--
1500+
¥0.667
--
3000+
¥0.58
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC2004VK-7参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)550 毫欧 @ 540mA,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)670mA,530mAFET 类型N 和 P 沟道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)150pF @ 16V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)20VFET 功能逻辑电平门
功率 - 最大值450mW不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA

DMC2004VK-7手册

DMC2004VK-7概述

DMC2004VK-7 产品概述

产品介绍

DMC2004VK-7是一款由美台(DIODES)公司制造的双通道场效应管(MOSFET),采用SOT-563表面贴装封装,具有高效能和较小的外形尺寸。这款MOSFET集成了一个N沟道和一个P沟道FET,适用于各种低功耗、高频率的电子电路应用。DMC2004VK-7不仅在电流控制方面表现优异,而且在工作温度范围和逻辑电平驱动方面同样出色,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场合。

主要参数

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),适用于现代自动化贴片生产。
  • 漏极电流(Id):N沟道的连续漏极电流为670mA,而P沟道为530mA,这使得该器件能够处理多种负载要求,适应不同电流需求的电路设计。
  • 导通电阻(Rds(on)):在540mA和4.5V的条件下,最大导通电阻为550毫欧,这保证了在高频率和高电流情况下的高效率,减少了发热和功耗。
  • 输入电容(Ciss):在16V下,输入电容的最大值为150pF,适合高频应用时信号迅速响应,保持良好的开关性能。
  • 工作温度范围:器件的工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保了在极端工作条件下的可靠性。
  • 漏源电压(Vdss):最大漏源电压为20V,适合多数低压应用。
  • 功率处理能力:最大功率为450mW,使其在常见的低功耗电路中可以充分发挥作用。
  • 阈值电压(Vgs(th)):在250µA时,N沟道的阈值电压最大值为1V,这符合逻辑电平驱动要求,使得它能与微控制器等数字电路良好匹配。

应用场景

DMC2004VK-7由于其出色的电气特性和广泛的应用范围,非常适合如下几种应用场景:

  1. 开关电源:在开关电源电路中,DMC2004VK-7能够高效地开关控制负载,保持良好的电源转换效率。

  2. 电机驱动:在电机控制电路中,其高电流承载能力使其能够有效控制电机的启动和运行,达到过载保护的效果。

  3. 负载开关:在各类开关控制系统中,DMC2004VK-7可作为负载开关来高效切换电流路径,适用于移动设备和家用电器等。

  4. 逻辑电平电路:由于其低阈值电压特性,适用与微控制器或其他逻辑电路并联使用,提高电路的响应速度。

  5. 信号开关:在通信及信号处理电路中,可以用于控制信号的开关,有效隔离和切换各信号通路。

性能优势

  • 高效能:DMC2004VK-7的低导通电阻特点显著减少了电源损耗,提高了散热性能,延长了器件及其系统的使用寿命。
  • 可靠性:广泛的工作温度范围和高工作电压能力,使其在各种环境条件下都能保持稳定运行。
  • 兼容性:该MOSFET的设计能很好地兼容现代数字电路,便于系统集成和模块化设计。

结论

DMC2004VK-7作为一款高性能双通道场效应管,具备多种优异电气特性,特别适合低功耗、高效率的应用场景。其可靠性、高效能和广泛适用性使得它在市场中占据了一席之地,是工程师在设计电路时的理想选择。无论是在消费电子、通信还是工业控制领域,DMC2004VK-7都能提供极大的价值,为电子产品的设计和应用提供强有力的支持。