DMC2004DWK-7
DMC2004DWK-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 540mA,430mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 540mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 540mA，430mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
DMC2004DWK-7手册
DMC2004DWK-7概述
产品概述：DMC2004DWK-7
一、基本信息
DMC2004DWK-7 是一款由美台 (DIODES) 公司设计并生产的高性能场效应管 (MOSFET)，其封装为 SOT-363 (SC-70-6)，主要应用于逻辑电平开关和功率控制领域。该产品集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道 MOSFET，特别适合于需要高开关效率和小尺寸的电路设计。该器件的工作温度范围为 -65°C 至 150°C，使其在各种苛刻环境下运行都具备高度可靠性。
二、关键参数分析
漏源电压 (Vdss): DMC2004DWK-7 的漏源电压为 20V，适合大多数低至中等电压应用。这使得该产品在电源开关、信号调理和其他低电压电路中非常有效。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下，N 沟道 MOSFET 的连续漏极电流为 540mA，而 P 沟道的为 430mA。这一电流承载能力使其能够应对各种电流需求而不发热过多，有效保证了电路的稳定性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 栅源极阈值电压为 1V @ 250µA，显示其具备较低的驱动电压要求，非常适合逻辑电平驱动应用。这有助于减少控制电路的功耗，提高整体效率。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 漏源导通电阻为 550mΩ @ 540mA,4.5V，意味着在导通状态下，MOSFET 可以有效降低功率损耗，减少发热，从而提高系统的热管理能力。
输入电容 (Ciss): 在 16V 下，输入电容为 150pF，进一步说明该器件在高频开关应用中表现良好，支持快速开关和信号传递。
最大功率耗散: 最大功率耗散为 250mW，在25℃环境条件下，确保该器件在高效状态下能够承受一定的功率负载，适合多种条件下使用。
三、应用场景
DMC2004DWK-7广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 由于其低 Rds(on) 和较高电流能力，适合用于 DC-DC 转换器、功率分配和其他电源管理电路。
- 开关电路: 本 MOSFET 适合用于负载开关、信号开关和照明控制等应用，能够有效实现低功耗的开和关控制。
- 逻辑电平电路: 因其较低的栅源阈值电压，DMC2004DWK-7 特别适合与微控制器和 FPGA 等数字逻辑设备合作使用。
- 消费电子: 包括移动设备、家用电器和便携式设备等，满足电子设备对小型化和高效率的需求。
四、产品优势
高功效: 通过集成 N 和 P 沟道 MOSFET，DMC2004DWK-7 提供了更低的导通电阻，确保在传输电流时的能量损耗最小化。
温度稳定性: 广泛的工作温度范围使得该器件在极端条件下表现出色，确保电路设计的灵活性。
小型封装: SOT-363 封装提供了紧凑的解决方案，非常适合现代电子产品，确保设计的空间利用最大化。
典型的应用广度: 由于其广泛的应用场景，DMC2004DWK-7 适用于多个行业，特别是在需要高效开关和逻辑控制的场合。
五、总结
DMC2004DWK-7 MOSFET 系列器件凭借其出色的参数和灵活的应用场景，成为设计师们在高效能和高可靠性方面的首选方案。适用于多种低电压电源管理和开关应用，凭借其低驱动电压和高导通电流能力，DMC2004DWK-7 的推出将极大促进电子设计的创新与发展。