安装类型 | 表面贴装型 | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.4V |
驱动配置 | 半桥 | 输入类型 | CMOS/TTL |
通道类型 | 独立式 | 驱动器数 | 2 |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 1.5A,2.5A | 栅极类型 | N 沟道 MOSFET |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TA) | 上升/下降时间(典型值) | 16ns,12ns |
电压 - 供电 | 0.3V ~ 60V | 高压侧电压 - 最大值(自举) | 50V |
DGD05473FN-7 是一款高性能半桥栅极驱动器,专为驱动 N 沟道 MOSFET 而设计,适用于各种高频开关应用。这款驱动器采用表面贴装型封装(WDFN303010),具有出色的热导性和电气性能,适合于要求严格的环境中使用。DGD05473FN-7特别适合于电机控制、开关电源和其他高效能功率转换应用中,能够有效地驱动 MOSFET,从而提高系统的整体效率和可靠性。
这个驱动器的工作电压范围为 0.3V 至 60V,支持宽范围的应用,尤其是在高电压环境下也能稳定工作。其高压侧电压的最大值为 50V,使其能够适应大部分工业应用。该器件的逻辑电压(VIL 和 VIH 分别为 0.8V 和 2.4V)符合 CMOS 和 TTL 标准,为用户提供了灵活的控制接口。
DGD05473FN-7 配备 2 个独立的驱动通道,具有良好的输出能力。其峰值输出电流分别为 1.5A 和 2.5A,足以驱动大多数 N 沟道 MOSFET,确保快速的开关响应。同时,上升时间和下降时间的典型值分别为 16ns 和 12ns,表明该器件能够在高频率下切换,降低开关损耗,进而提升系统效率。
DGD05473FN-7 工作温度范围为 -40°C 至 125°C,适合于苛刻的工业和汽车应用环境。这使其能够在高温和低温环境中稳定工作,确保设备在各种条件下的持久性和可靠性。其采用的 WDFN303010 封装不仅占用空间小,而且具备良好的散热性能,进一步增强了器件的性能。
DGD05473FN-7 适用于多种场景,包括但不限于:
DGD05473FN-7 是一款高效、可靠的半桥栅极驱动器,凭借其优异的性能参数和宽广的工作电压范围,使其成为各种功率应用中理想的选择。无论是在电动机控制、开关电源还是其他需要高性能 MOSFET 驱动的场合,DGD05473FN-7 都能够提供卓越的解决方案。通过有效提升系统的整体效率和可靠性,DGD05473FN-7 助力工程师实现更高效的设计目标。