DGD05473FN-7 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DGD05473FN-7

商品编码: BM0000287777
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
WDFN303010
包装 : 
编带
重量 : 
0.3g
描述 : 
半桥-栅极驱动器-IC-CMOS-TTL-W-DFN3030-10
库存 :
3010(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
2.43
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.43
--
100+
¥1.94
--
750+
¥1.74
--
1500+
¥1.64
--
3000+
¥1.56
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DGD05473FN-7参数

安装类型表面贴装型逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.4V
驱动配置半桥输入类型CMOS/TTL
通道类型独立式驱动器数2
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)1.5A,2.5A栅极类型N 沟道 MOSFET
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)上升/下降时间(典型值)16ns,12ns
电压 - 供电0.3V ~ 60V高压侧电压 - 最大值(自举)50V

DGD05473FN-7手册

DGD05473FN-7概述

DGD05473FN-7 产品概述

产品简介

DGD05473FN-7 是一款高性能半桥栅极驱动器,专为驱动 N 沟道 MOSFET 而设计,适用于各种高频开关应用。这款驱动器采用表面贴装型封装(WDFN303010),具有出色的热导性和电气性能,适合于要求严格的环境中使用。DGD05473FN-7特别适合于电机控制、开关电源和其他高效能功率转换应用中,能够有效地驱动 MOSFET,从而提高系统的整体效率和可靠性。

基础参数

这个驱动器的工作电压范围为 0.3V 至 60V,支持宽范围的应用,尤其是在高电压环境下也能稳定工作。其高压侧电压的最大值为 50V,使其能够适应大部分工业应用。该器件的逻辑电压(VIL 和 VIH 分别为 0.8V 和 2.4V)符合 CMOS 和 TTL 标准,为用户提供了灵活的控制接口。

驱动能力

DGD05473FN-7 配备 2 个独立的驱动通道,具有良好的输出能力。其峰值输出电流分别为 1.5A 和 2.5A,足以驱动大多数 N 沟道 MOSFET,确保快速的开关响应。同时,上升时间和下降时间的典型值分别为 16ns 和 12ns,表明该器件能够在高频率下切换,降低开关损耗,进而提升系统效率。

工作温度和封装

DGD05473FN-7 工作温度范围为 -40°C 至 125°C,适合于苛刻的工业和汽车应用环境。这使其能够在高温和低温环境中稳定工作,确保设备在各种条件下的持久性和可靠性。其采用的 WDFN303010 封装不仅占用空间小,而且具备良好的散热性能,进一步增强了器件的性能。

应用场景

DGD05473FN-7 适用于多种场景,包括但不限于:

  • 电动机驱动:在电动机控制电路中,能够提供快速和精确的 MOSFET 驱动,优化电动机的性能和效率。
  • 开关电源:在开关电源中,DGD05473FN-7 确保 MOSFET 的快速切换,提高了功率转换效率,并降低了电磁干扰(EMI)。
  • 高频开关应用:由于其快速的上升和下降时间,该驱动器非常适合高频开关应用,为客户提供了更高的开关频率能力。

结论

DGD05473FN-7 是一款高效、可靠的半桥栅极驱动器,凭借其优异的性能参数和宽广的工作电压范围,使其成为各种功率应用中理想的选择。无论是在电动机控制、开关电源还是其他需要高性能 MOSFET 驱动的场合,DGD05473FN-7 都能够提供卓越的解决方案。通过有效提升系统的整体效率和可靠性,DGD05473FN-7 助力工程师实现更高效的设计目标。