额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
一、产品简介
DCX56-16-13是一款高性能的NPN晶体管(BJT),特别设计用于处理较高功率和电流驱动应用。这款晶体管的额定功率可达1W,最大集电极电流(Ic)可达到1A,适用于各种电子电路中的开关和放大功能。凭借其出色的电压属性,这款器件的集射极击穿电压(Vce)最高可达80V,使其在高压应用场景中表现优异。这种产品常用于音频放大、射频应用、电源管理、信号放大、开关电源等多个领域。
二、主要规格
类型及结构
电气特性
频率特性
温度范围
三、应用领域
DCX56-16-13由于其广泛的额定电流和较高的击穿电压,适合于多种应用需求,包括:
四、产品优势
五、总结
DCX56-16-13是一款具备优异电气特性和应用多样性的NPN晶体管,广泛适用于需要高功率和高电流处理的领域。其稳定的性能,极小的截止电流及高频响应,使其在现代电子设备中成为不可或缺的元件。凭借DIODES品牌的可靠性和高标准的制造工艺,DCX56-16-13为设计工程师和开发人员提供了一个极具吸引力的选择,为其产品的成功推出提供有力支持。无论是用于开关电源、音频放大还是其他广泛的应用场景,DCX56-16-13都能够满足现代电子行业对于高性能器件的需求。