BZX84C12LT1G
BZX84C12LT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 Ohms | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 250mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 8V | 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BZX84C12LT1G手册
BZX84C12LT1G概述
产品概述：BZX84C12LT1G 稳压二极管
概述
BZX84C12LT1G 是一种高性能的稳压二极管，广泛应用于电源管理、过压保护以及信号调节等领域。这款二极管具有优秀的性能特性和广泛的工作温度范围，非常适合于各种电子设备的稳压应用。
基本参数
安装类型: BZX84C12LT1G 为表面贴装型（二极管封装），便于自动化生产线的贴装工艺，并提供了紧凑的PCB设计。
工作温度: 该器件的工作温度范围达到了 -65°C 至 150°C（结温 TJ），这使得其能够在极端环境条件下稳定工作，符合航空航天、汽车和工业应用的需求。
齐纳电压: 其标称齐纳电压 (Vz) 为 12V，适合多种需要 12V 参考电压的电路设计。
容差: 此器件的电压容差为 ±5%，确保了电压输出的稳定性和可靠性，满足高精度应用的要求。
最大功率: BZX84C12LT1G 的最大功率为 250mW，通常能够满足普通电子设备对功率的需求，又避免了因过载产生的损坏。
阻抗: 该稳压二极管的最大阻抗 (Zzt) 为 25Ω，这在设计电源时提供了较低的输出阻抗，使得稳压效果更加显著。
反向泄漏电流: 在反向电压达到 8V 时，其反向泄漏电流为 100nA，极低的漏电流特性使得该器件在高精度应用中表现出良好的电性能。
正向电压: 当正向电流 (If) 为 10mA 时，正向电压 (Vf) 为 900mV，相对较低的正向电压有助于降低能耗及提升整体系统效率。
封装与供应商
BZX84C12LT1G 的封装采用了 SOT-23-3（TO-236），这是一种小型化的表面贴装封装，适合现代电子产品对小型化的要求。SOT-23-3 封装同时具备了良好的散热性能，有助于器件在高功率运行时的稳定性。
该器件由安森美 (ON Semiconductor) 生产，其在半导体行业中的声誉和的产品质量使得 BZX84C12LT1G 成为设计人员和制造商信赖的选择。
应用场景
BZX84C12LT1G 适用于多种场合，包括：
电源管理: 在电源转换及调节中，提供稳定的参考电压，保障下游电子元件的正常工作。
过压保护: 在各种电路中作为过压保护元件，防止电流过大对电路造成损坏。
信号调节: 在复杂的信号处理电路中，提供所需的稳压和隔离作用以提高信号质量。
便携式设备: 由于其小型化的封装，适合用于各类便携式电子产品，如手机、平板电脑和智能穿戴设备。
汽车电子: 在汽车电子系统中，不仅需要强抗干扰能力，还需要适应广泛的工作温度范围。
总结
BZX84C12LT1G 是一款功能强大、稳定性高、体积小巧的稳压二极管，具有优异的电性能和广泛的应用领域，能够满足当今市场对可靠性和效率的高要求。它的设计使得电子工程师在产品开发过程中能够更加灵活，并有助于加快产品上市的时间。随着电子设备对高性能和小型化的不断追求，这款稳压二极管必将在未来的应用中发挥重要作用。