BUK9Y25-80E,115
BUK9Y25-80E,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 37A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.1V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 27mΩ @ 10A,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 95W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 10A，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.1nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2703pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 95W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
BUK9Y25-80E,115手册
BUK9Y25-80E,115概述
BUK9Y25-80E,115 产品概述
1. 产品简介
BUK9Y25-80E,115 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，此器件主要用于高压、大电流应用领域。其规格显示该器件具有出色的导通性能和热管理能力，适合在多种条件下有效工作，包括电源管理、负载开关、马达驱动等应用。由于其精细的设计和高可靠性，BUK9Y25-80E,115 被广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等行业。
2. 关键技术规格
漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 80V，这使得它能够在较高的电压环境下稳定工作而不发生击穿。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境条件下，该 MOSFET 能够承载最大 37A 的持续漏极电流（Tc），表现出极佳的输出能力。此特征使其能够在高负载条件下保持良好的工作效率。
栅源极阈值电压: 在 1mA 的条件下，栅源极阈值电压为 2.1V，确保器件能在较低的栅压下实现高效的导通。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 10A 和 5V 的条件下，导通电阻仅为 27mΩ，这意味着器件在导通状态下损耗非常小，进一步提高了系统的整体效率。
最大功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散为 95W（在 25°C 下），为其在高功率应用中提供了足够的热容，确保器件在工作过程中的稳定性。
工作温度范围: 从 -55°C 到 175°C 的宽广工作温度范围，表明该元件适合在极端和具有挑战的环境中工作。
封装类型: BUK9Y25-80E,115 在 LFPAK56 和 Power-SO8 封装中提供，便于在空间受限的应用中进行高密度安装。
3. 应用领域
BUK9Y25-80E,115 的设计使其适合广泛的应用领域，包括但不限于：
电源管理: 由于其优秀的导通特性和功率耗散，这款 MOSFET 可以有效用于 DC-DC 转换器、功率调节器等电源管理电路。
马达驱动: 适用于高电压和大电流的马达驱动电路，提供高效的开关控制。
负载开关: 在各种应用中，BUK9Y25-80E,115 可以用作负载开关，适合控制不同电气负载的通断。
电动汽车: 由于其耐高温和高电流特性，BUK9Y25-80E,115 特别适用于电动汽车的各种控制电路。
4. 性能优势
BUK9Y25-80E,115 能够在多种应用中保持优越的表现，其低导通电阻和高效的热管理使其成为提高电气系统效率的理想选择。此外，其坚固的工作温度范围和高电压表现，确保了产品在苛刻环境下的可靠性和长生命周期。
5. 结论
综上所述，BUK9Y25-80E,115 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，具备多项优良技术参数和可靠性，广泛应用于现代电子设备中。凭借其高电流承载能力和低导通电阻特性，该元件在电源管理和马达驱动等领域中表现出色，值得在设计高效系统时考虑。