BST52TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BST52TA

商品编码: BM0000287689
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.212g
描述 : 
达林顿管 1W 80V 1000@10V,150mA NPN SOT-89-3
库存 :
83(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
1.24
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.24
--
50+
¥0.961
--
1000+
¥0.8
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

BST52TA参数

额定功率1W集电极电流Ic500mA
集射极击穿电压Vce80V晶体管类型NPN - Darlington
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA电压 - 集射极击穿(最大值)80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.3V @ 500µA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)1000 @ 150mA,10V功率 - 最大值1W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装SOT-89-3

BST52TA手册

BST52TA概述

BST52TA 产品概述

产品名称: BST52TA

品牌: DIODES(美台)

封装类型: SOT-89-3 (TO-243AA)

晶体管类型: NPN - 达林顿(Darlington)

1. 基本参数

BST52TA是一款高效能的NPN达林顿型晶体管,设计用于诸多电子应用中。其核心电气特性及性能参数如下:

  • 额定功率: 1W
  • 集电极电流 (Ic): 最大500mA
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大80V
  • 不同Ib、Ic时Vce饱和压降: 最大1.3V @ 500μA, 500mA
  • 集电极截止电流: 最大10μA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值1000 @ 150mA,10V
  • 工作温度范围: -55°C 至 150°C(接触结温TJ)

2. 关键特性

BST52TA的设计充分考虑了各种应用环境,能够在宽广的温度范围内稳定工作。其资质达到了-55°C到150°C,确保了在极端条件下高效且稳定的性能表现。此型晶体管具备超低的集电极截止电流(10μA),使其在待机功耗极其敏感的应用中表现优异。

此外,BST52TA的直流电流增益(hFE)高达1000,显示出良好的信号放大能力,使其在低电压和微小信号处理中非常有效。尽管在500mA的电流下Vce饱和压降达到最大1.3V,但这在依然保持高效能输出的同时,确保了良好的线性度和效率。

3. 应用场合

BST52TA广泛应用于以下领域:

  • 功率放大器:能够为各种电气设备(如音频放大器和无线电发射器)提供可靠的功率放大解决方案。
  • 开关电路:适合用于开关电源、马达驱动及各种类型的继电器驱动。
  • 信号检测:由于其高增益特性,能够有效扩展和检测微小电信号。
  • 线性放大器: 该器件可在模拟信号放大应用中取得理想的增益和带宽。

4. 安装与应用注意事项

BST52TA采用SOT-89封装,适合表面贴装,使其能够在现代紧凑型电子产品中方便安装。由于其小体积和高能效,该器件在便携设备及高密度电路设计上表现出色。设计师在应用时需注意选择合适的偏置电流,以确保驱动条件恰当,从而发挥其最佳工作效率。

此外,考虑到温度对晶体管性能的影响,在设计散热方案时应综合考虑环境温度及PCB板的散热能力,确保晶体管的接触结温保持在安全范围内。同时,适当的噪声滤除和电磁干扰(EMI)保护措施也是保证其性能的重要前提。

5. 结论

BST52TA是一款具备卓越性能的NPN达林顿晶体管,凭借其高电流增益、宽工作温度范围及低待机功耗,非常适合多种现代电子应用。无论是在工业设备、家用电器还是在各类便携式设备中,BST52TA都能提供强大的电流驱动能力和可靠性,助力优化您的电子设计方案。