额定功率 | 1W | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | NPN - Darlington |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.3V @ 500µA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 10µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 150mA,10V | 功率 - 最大值 | 1W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-243AA | 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
产品名称: BST52TA
品牌: DIODES(美台)
封装类型: SOT-89-3 (TO-243AA)
晶体管类型: NPN - 达林顿(Darlington)
BST52TA是一款高效能的NPN达林顿型晶体管,设计用于诸多电子应用中。其核心电气特性及性能参数如下:
BST52TA的设计充分考虑了各种应用环境,能够在宽广的温度范围内稳定工作。其资质达到了-55°C到150°C,确保了在极端条件下高效且稳定的性能表现。此型晶体管具备超低的集电极截止电流(10μA),使其在待机功耗极其敏感的应用中表现优异。
此外,BST52TA的直流电流增益(hFE)高达1000,显示出良好的信号放大能力,使其在低电压和微小信号处理中非常有效。尽管在500mA的电流下Vce饱和压降达到最大1.3V,但这在依然保持高效能输出的同时,确保了良好的线性度和效率。
BST52TA广泛应用于以下领域:
BST52TA采用SOT-89封装,适合表面贴装,使其能够在现代紧凑型电子产品中方便安装。由于其小体积和高能效,该器件在便携设备及高密度电路设计上表现出色。设计师在应用时需注意选择合适的偏置电流,以确保驱动条件恰当,从而发挥其最佳工作效率。
此外,考虑到温度对晶体管性能的影响,在设计散热方案时应综合考虑环境温度及PCB板的散热能力,确保晶体管的接触结温保持在安全范围内。同时,适当的噪声滤除和电磁干扰(EMI)保护措施也是保证其性能的重要前提。
BST52TA是一款具备卓越性能的NPN达林顿晶体管,凭借其高电流增益、宽工作温度范围及低待机功耗,非常适合多种现代电子应用。无论是在工业设备、家用电器还是在各类便携式设备中,BST52TA都能提供强大的电流驱动能力和可靠性,助力优化您的电子设计方案。