BSS84W-7-F
BSS84W-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 130mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 10Ω @ 100mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
BSS84W-7-F手册
BSS84W-7-F概述
BSS84W-7-F 产品概述
简介
BSS84W-7-F 是一款高性能、P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其设计适用于多种电子电路应用，特别是在低功耗、低电流的场合。该器件集成了优化的电气特性，使其在开关和线性模式下的应用表现卓越。BSS84W-7-F 的封装为 SOT-323，使其适合于表面贴装（SMD）应用，适合现代电子产品的小型化需求。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）：50V
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：2V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：10Ω @ 100mA, 5V
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：200mW
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装规格：SOT-323 / SC-70
电气特性分析
BSS84W-7-F 的最大漏源电压为 50V，增加了其在电源电路和开关电路中的灵活应用能力。它的连续漏极电流为 130mA，适合用于中等功率应用。这款MOSFET 在 25°C 下，表现出较低的漏源导通电阻（10Ω），使其在流通电流时损耗较小，从而提高系统效率。
栅源极阈值电压为 2V，使其在低电压驱动环境下也能迅速开启，保障了其在快速开关应用中的可靠性。Rds(on) 的特性使它在驱动时表现出色，满足在多种不同负载下的连续工作需求。
应用场景
该 MOSFET 适用于广泛的应用场景，包括：
- 电源管理：用于电源开关、稳压电路以及电池供电装置中，能够有效控制电流流向，降低功耗。
- 信号开关：能够在信号处理和条件限制应用中作为开关，尤其是在音频和视频信号路径中。
- 小型便携设备：由于其小型化 SOT-323 封装，适合各种移动设备中的应用，如手机、平板电脑以及其他小型电子设备。
- 汽车应用：能在汽车电子系统中使用，如电动窗、车灯控制电路等。
热管理与可靠性
BSS84W-7-F 的最大功率耗散能力为 200mW，大幅增强了其在高温环境下的工作稳定性。它的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适用于极端环境。这使得 BSS84W-7-F 成为需要高可靠性和耐温性能的电子设备的理想选择。
安装与兼容性
对于设计工程师而言，BSS84W-7-F 提供了简单的集成解决方案。其 SOT-323 封装支持自动化表面贴装技术，能够快速且高效地安装在 PCB 上。由于该 MOSFET 的特性和规格兼容性，它可与市场上多种控制电路和驱动芯片配合使用，帮助设计师优化产品性能。
总结
总的来说，BSS84W-7-F 是一种多功能、高效能的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电气特性和广泛的应用场景，为电子设计带来了良好的解决方案。适用于各种创新电子产品的 BSS84W-7-F，让设计师能够在确保性能的同时，满足日益严格的低功耗和小型化需求。无论是在消费电子、工业控制还是汽车领域，BSS84W-7-F 都以其优良的品质和可靠性，成为了现代电子设计中不可或缺的基础元件。