漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 320mA |
栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.6Ω @ 300mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 420mW | 类型 | 双N沟道 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.6 欧姆 @ 300mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 50pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 420mW |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
BSS138PS,115 是由安世半导体(Nexperia)推出的一款高性能双N沟道场效应管(MOSFET),以其卓越的电气特性和小型化的封装形式,为各种低功耗应用提供理想解决方案。该元器件采用6-TSSOP封装,适合现代电子产品中对空间和效率的严格要求,是工程师和设计师在构建设计时值得关注的选择。
电气参数:
动态特性:
结构与封装:
BSS138PS,115 的设计使其适合广泛应用于:
BSS138PS,115 是一款功能强大的双N沟道场效应管,凭借其高电压和电流承受能力、低导通电阻和小型封装,广泛适用于逻辑电平应用、功率管理、开关电源等多个高要求领域。Nexperia作为知名品牌,为这一元件提供了可靠的质量保证和持续的技术支持,使其在设计者和工程师中享有良好的声誉。
无论是在新产品开发还是在现有设计的优化中,BSS138PS,115 都是一个值得投资的优质选择,帮助用户在性能、效率和可靠性上取得最佳平衡。