晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 80V | 额定功率 | 1W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 500mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 63 @ 150mA,2V | 功率 - 最大值 | 1W |
频率 - 跃迁 | 145MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
BCP53-10,115是一款高性能PNP型晶体管,具备出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种电子电路中。由Nexperia(安世)生产,该款晶体管采用SOT-223封装,适合表面贴装技术的应用,能够满足现代电子产品对高集成度和小型化的需求。其设计注重功率管理,适合音频放大器、开关电源和信号处理等要求较为严格的应用场景。
BCP53-10,115在145MHz的跃迁频率下表现优越,适用于高频信号处理。此外,其在不同的Ic(集电极电流)和Vce(集射极电压)条件下的直流电流增益(hFE)最小值为63(在150mA和2V的条件下),确保其在多种工作条件下都能提供足够的增益。
该元器件的最大工作温度为150°C,使其在高温环境中依然能够稳定工作,大大提高了其在极端条件下的使用可靠性。这使得BCP53-10,115非常适用于工业设备以及其他高温应用场合。
BCP53-10,115采用SOT-223封装,其小型化的设计适合高密度电路板的布置。这样的封装不仅能减小整体尺寸,还能提升散热性能,使得该器件在工作时更加稳定。表面贴装的安装方式极大地简化了生产流程,降低了生产成本。
BCP53-10,115的广泛适用性使其在许多领域找到应用:
BCP53-10,115是一款具有高性能、稳定性和多样化应用范围的PNP晶体管,凭借其强大的电气特性和适中的封装设计,成为现代电子产品设计中不可或缺的关键元件。无论是音频、开关电源还是信号处理领域,BCP53-10,115都能为设计师提供反应灵敏且高可靠性的解决方案。选择BCP53-10,115,意味着选择了高效、高性能的电路设计伙伴。