BC857BW,115
BC857BW,115参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
| 集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 220 @ 2mA，5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
BC857BW,115手册
BC857BW,115概述
BC857BW,115 产品概述
基本信息
BC857BW,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的高性能 PNP 型三极管，其主要适用于低功率放大和开关应用。该器件采用 SOT-323 封装，适合表面贴装，具有良好的散热特性和小型化优势，尤其适合于紧凑型电路设计。BC857BW,115 的额定功率为 200mW，能够处理的集电极电流（Ic）最大为 100mA，集射极击穿电压（Vce）开启条件为 45V。这使其在各种电子应用中具有较高的灵活性和可靠性。
性能参数
额定功率: BC857BW,115 提供的额定功率为 200mW，符合大多数工作电压与电流条件下的设计需求。
集电极电流 (Ic): 允许的最大集电极电流为 100mA，适合多种信号处理应用，保证了器件在高负载下的稳定性。
集射极击穿电压 (Vce): 该器件的集射极击穿电压最大为 45V，提供了较宽的应用范围，使得它可以在多个电压环境下安全工作。
饱和压降（Vce(sat)）: 当Ic为5mA至100mA时，Vce的饱和压降最大为600mV，这有助于降低功耗并提高效率。
截止电流 (ICBO): 最大集电极截止电流为15nA，显示了该器件的极低漏电特性，使得它在关闭状态下几乎不消耗电流，从而提高电路效率。
直流电流增益 (hFE): 在最低 220 的情况下，在2mA，5V下运行，有助于设计更高效的放大电路。
跃迁频率: BC857BW,115 的跃迁频率高达100MHz，能够满足高频信号的处理需求，适合用于高速度应用。
工作温度: 工作温度达到150°C（TJ），显示了其良好的热稳定性，使其能够在恶劣的环境或高温操作条件下稳定工作。
应用场景
BC857BW,115 在消费电子、工业自动化、汽车电子、通信设备等多个领域中得到广泛应用。具体应用场景包括：
音频放大器: 利用其优异的增益特性，BC857BW,115 可以有效地用于信号放大，改善音质和输出功率。
开关电路: 适合于各种开关逻辑电路和驱动电路，尤其适用于低功耗的遥控设备或无线设备。
信号调节: 在电子设备中可用于信号处理，保持信号波形并提高系统整体稳定性。
传感器接口: 提供低电流和高增益的特性，使其成为各种传感器（如温度传感器、压力传感器等）接口的理想选择。
总结
BC857BW,115 是一款高效、可靠的小型 PNP 三极管，凭借其优良的电气特性、宽广的工作范围以及良好的热稳定性，在多个电子应用中展现出卓越的性能。无论是在精密控制还是高频应用的场合，BC857BW,115 均可以提供有效的解决方案，是设计师在选择电子元器件时值得考虑的优秀选项。