BC846BWT1G
BC846BWT1G参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 65V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
BC846BWT1G手册
BC846BWT1G概述
产品概述：BC846BWT1G
一、产品简介
BC846BWT1G 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的高性能 NPN 型晶体管，广泛应用于各种模拟和数字电路中。该晶体管具有高达 100mA 的集电极电流（Ic）和 65V 的集射极击穿电压（Vce），非常适合用于信号放大、开关应用及电流驱动等多个领域。其紧凑的 SC-70（SOT-323）封装设计使其特别适合于空间受限的电子设备中。
二、主要参数
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流（Ic）: 100mA
- 集射极击穿电压（Vceo）: 65V
- Vce 饱和压降: 600mV @ 5mA，100mA
- 集电极截止电流（ICBO）: 最大 15nA
- 直流电流增益（hFE）: 最小 200 @ 2mA，5V
- 最大功率: 150mW
- 频率截止: 100MHz
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: SC-70，SOT-323
三、性能特点
高性能：BC846BWT1G 在高达 100MHz 的频率下工作，适合高速开关和信号处理应用。其高直流电流增益（hFE）特性可以有效放大微弱信号，确保良好的信号质量。
低功耗和小尺寸：该晶体管的最大功率为 150mW，能在较小的功耗下实现较大的工作效率。此外，其 SC-70 封装体积小巧，非常适合需要节省空间的电子设备，如手机、掌中宝等便携式仪器。
广泛的工作温度范围：BC846BWT1G 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，这使其能够在极端环境条件下稳定工作，适用于汽车、航空以及工业控制等严苛应用。
低漏电流：其最大截止电流（ICBO）仅为 15nA，确保在非工作状态下能有效避免对电路的干扰，提升系统的整体性能。
四、应用领域
BC846BWT1G 由于其卓越的性能和设计，适用于以下几个主要应用领域：
信号放大：在音频和射频电路中，BC846BWT1G 能够有效放大输入信号，适用于音频放大器和射频接收器等设备。
开关电路：作为开关器件，BC846BWT1G 可用于控制其他高功率负载，如继电器、灯光等，让设计系统更加灵活高效。
线性稳压器：由于其低 Vce 饱和压降特性，BC846BWT1G 常被用于线性稳压器电路中，确保输出电压的稳定性。
传感器信号处理：该晶体管也被广泛用于传感器电路中，以增强信号的可靠性和清晰度。
五、总结
总体而言，BC846BWT1G 是一款多功能、高性能的 NPN 晶体管，凭借其优良的电气特性和可靠性，在现代电子设备中占有一席之地。无论是在低功耗应用还是高频信号传输，BC846BWT1G 都能提供极佳的性能表现。其小巧的封装设计和宽广的工作温度范围，使其成为设计师在选型时的优质选择。
为确保其在实际应用中的性能，建议用户根据具体的电路设计需求，在选型时仔细考虑电流、电压和温度等参数，以实现最佳的设计效果。