BAS70-7-F
BAS70-7-F参数
| 直流反向耐压（Vr） | 70V | 平均整流电流（Io） | 70mA |
| 正向压降（Vf） | 1V @ 15mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 70V | 电流 - 平均整流 (Io) | 70mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 15mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间 (trr) | 5ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 50V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V，1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C |
BAS70-7-F手册
BAS70-7-F概述
BAS70-7-F 产品概述
一、产品概述
BAS70-7-F 是一种高性能的肖特基二极管，广泛应用于各种电子电路中。该器件的设计针对小信号整流和高速开关应用，具备优异的特性，满足现代电子设备对高效率和高可靠性的需求。其主要参数包括直流反向耐压（Vr）为70V、平均整流电流（Io）为70mA、正向压降（Vf）为1V在15mA时，适合于多个应用场景。
二、主要特性
直流反向耐压： BAS70-7-F 的反向耐压高达70V，这意味着它能够承受较高的反向电压而不会发生击穿，这在需要高电压工作条件下的应用中显得尤为重要。
整流性能： 该二极管的平均整流电流为70mA，能够在大多数中小功率应用中稳定工作，尤其是在需要整流和保护电路的应用场合。
低正向压降： 在15mA的工作条件下，正向压降仅为1V，这与传统的硅二极管相比，其正向压降相对较低，从而提升了能效，尤其是在电池驱动设备和低电压应用中，对延长电池寿命和提升能量转化效率具有明显优势。
超快速响应特性： BAS70-7-F 具有极快的反向恢复时间（trr）为5ns，适用于高速开关应用，能够有效降低信号失真和功耗。
小反向泄漏电流： 在50V的反向电压下，反向泄漏电流为100nA，显示出极低的泄漏性能，适合于精密的测量和监控电路。
电容特性： 该器件在0V、1MHz时的电容值为2pF，表明其在高频应用中表现良好，适合于高频信号处理。
三、应用领域
BAS70-7-F 的设计特性使其适用于多种应用领域，如：
- 信号整流：由于其低压降和高效能，BAS70-7-F 在信号整流电路中表现优异，尤其在RF、音频和视频信号处理中。
- 开关电源：在开关电源设计中，采用该肖特基二极管可以有效降低开关损耗，提高总体效率。
- 保护电路：可用于电路保护中，例如，在防止反向电流和过压保护方面，保障敏感器件的安全。
- 高频应用：该二极管适合用于高频率的信号处理，广泛应用于无线通信、数据线接口等领域。
四、封装及安装
BAS70-7-F 采用 SOT-23-3 表面贴装封装，这种紧凑的封装设计使其能够在有限的空间内实现高性能的电路设计，简化了PCB的布局与设计。此外，SOT-23-3 封装具有良好的散热性能，能够支持更高功率的工作要求。
五、工作温度范围
BAS70-7-F 的工作结温范围为-55°C至125°C，确保在严苛环境条件下稳定运行，满足各种工业和消费电子设备的要求。
六、总结
BAS70-7-F 的多项优异特性和灵活应用场景使其成为设计工程师在选择肖特基二极管时的理想选择。无论是在高频信号处理、开关电源，还是电路保护应用中，BAS70-7-F 都能提供卓越的性能和可靠性，支持现代电子设备在各种复杂条件下的操作需求。选择 BAS70-7-F 二极管，将为您的设计带来更高的效率和更好的性能表现。