BAS516,115
BAS516,115参数
| 反向恢复时间（trr） | 4ns | 直流反向耐压（Vr） | 100V |
| 平均整流电流（Io） | 250mA | 正向压降（Vf） | 1.25V @ 150mA |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 250mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 80V | 不同 Vr、F 时电容 | 1pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
BAS516,115手册
BAS516,115概述
BAS516,115 产品概述
产品简介
BAS516,115 是 Nexperia（安世）推出的一款高性能开关二极管，采用 SOD-523 封装，具有优良的电气特性，广泛应用于各种电子电路中。该二极管特别适合用于低功耗和快速开关应用，能够有效地提高电路的性能与稳定性。其主要特点包括低正向压降、高反向耐压以及最佳的反向恢复时间，使其成为现代电子设备中不可或缺的元件。
主要参数
反向恢复时间 (trr)：BAS516,115 的反向恢复时间为 4ns，这使得它在快速开关应用中表现出色。相比于传统的二极管，快速恢复的特性确保了在高频操作下不会引起严重的开关损耗。
直流反向耐压 (Vr)：该二极管的最大直流反向耐压为 100V，能够承受较高的反向电压，这对保护后级电路和器件非常重要，尤其是在电源和信号线路的应用中。
平均整流电流 (Io)：BAS516,115 的平均整流电流为 250mA，适合多种低功耗应用场景。其在额定电流下依然保持相对较低的正向压降，确保电路的高效运行。
正向压降 (Vf)：在 150mA 的工作电流下，正向压降为 1.25V，显示出良好的导通性能。这一特性使得在实际应用中，功耗和热管理方面的挑战得到了有效的控制。
反向泄漏电流：在 80V 的反向电压下，反向泄漏电流为 500nA，展示出良好的电气绝缘性能。
容量特性：在 0V 和 1MHz 的条件下，该二极管的电容为 1pF，这对于高频应用和密集线路设计来说是一个重要优势。
应用场景
BAS516,115 二极管广泛应用于多种领域，如：
- 开关电源：作为整流二极管，能够高效转换交流电和直流电，提供稳定的输出电压。
- 信号调理：用于各种信号的开关和整流，帮助优化信号质量和减少噪声干扰。
- 保护电路：能够作为反向保护二极管，防止电流因意外反向而损坏后级电路。
- RF 设备：由于其低的输入和输出电容，适合在射频信号处理中使用，有助于维护信号的完整性。
封装与安装
BAS516,115 采用卓越的 SOD-523 封装，尺寸小巧，适合表面贴装 (SMT) 工艺，极大地节省PCB空间，促进了高密度电路设计。其封装设计适应性强，可以轻松集成到各种电子设备中，提高生产效率。
总结
综合来说，BAS516,115 是一款具有诸多优点的快速开关二极管，凭借其优异的电气特性、可靠性和紧凑的封装设计，使其在多个应用场合中表现出色。无论是在消费电子、工业设备还是通信领域，这款二极管都能够满足高性能电路设计的需求。Nexperia 作为全球领先的半导体制造商，其产品质量和技术支持在行业中享有极高的声誉，为设计工程师提供放心的解决方案。