BAS40-04,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

BAS40-04,215

商品编码: BM0000287617
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
0.037g
描述 : 
肖特基二极管 1对串联式 380mV@1mA 40V 120mA SOT-23
库存 :
11688(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.487
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.487
--
200+
¥0.163
--
1500+
¥0.101
--
3000+
¥0.0699
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAS40-04,215参数

直流反向耐压(Vr)40V平均整流电流(Io)120mA
正向压降(Vf)380mV @ 1mA二极管配置1 对串联
二极管类型肖特基电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)40V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)120mA(DC)不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1V @ 40mA
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 40V
工作温度 - 结150°C(最大)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装TO-236AB

BAS40-04,215手册

BAS40-04,215概述

产品概述:BAS40-04,215 肖特基二极管

BAS40-04,215 是 Nexperia(安世)公司推出的一款高性能肖特基二极管,专为高效的电流整流和信号处理而设计。其独特的结构与选材,使其在满足高性能的同时,也能应对多种应用场景,如开关电源、整流电路以及各种电子设备的保护电路。

基础参数

BAS40-04,215 的基础参数表明其在多个关键指标上具有出色的性能:

  • 直流反向耐压 (Vr): 该元器件的额定最大直流反向耐压为 40V,能够有效承受较高的反向电压,为电路提供安全保障。
  • 平均整流电流 (Io): 在额定条件下,BAS40-04,215 可承受高达 120mA 的平均整流电流,适合大多数中小功率应用。
  • 正向压降 (Vf): 在 1mA 的低电流条件下,正向压降为 380mV;而在 40mA 时,正向压降则升高至 1V,表明其在高电流负载下仍保持良好的电气特性。
  • 反向泄漏电流: 在 40V 的反向电压下,反向泄漏电流仅为 10µA,显示出该元器件优秀的密封性能与低漏电特性。
  • 工作温度: 工作结温可达 150°C 使其在高温环境下也能稳定工作,适应苛刻的应用场景。

设计与应用

BAS40-04,215 的设计采用了表面贴装封装(SOT-23-3),方便在现代电子设备中实现高密度改造与布线。它的物理尺寸小,适合在空间有限的应用中使用。该二极管的结构为 1 对串联,包括两颗肖特基二极管的组合,能够更好地应对负载变化,提升模块的整体性能。

BAS40-04,215 适合于以下应用场景:

  1. 开关电源: 因其优越的正向压降特性,适用于快开关电源设计,提高系统能效,降低能量损耗。
  2. 整流电路: 作为整流元件,能够将交流电流有效整流为直流电,广泛应用于充电和供电电路。
  3. 保护电路: 在过压或反向电压情形下,可以有效保护后续电路,防止损害。
  4. 高频信号处理: 在小信号应用中,BAS40-04,215 具有快速的反应速度,使其适合用于信号调节与放大电路中。

性能优势

与传统的硅二极管相比,BAS40-04,215 提供了以下明显优势:

  • 低正向压降: 在较低的电流条件下,其正向压降显著低于硅二极管,减少了能量损耗,提高了效率。
  • 快速开关特性: 其切换速度快,适合于要求高频处理的应用场景,确保信号稳定性及增强整个系统的响应速度。
  • 低反向泄漏电流: 在高电压状态下,BAS40-04,215 的反向泄漏电流保持在极低水平,适合高效能的电源管理。

总结

BAS40-04,215 是一款兼具高效率和高可靠性的肖特基二极管,适用于需考虑高频和密集集成的现代电子电路。无论是在开关电源、整流电路还是保护电路中,BAS40-04,215 都以其优异的参数和性能表现成为电子工程师的理想选择。其小巧的封装设计和出色的高温适应能力,使得该元器件非常适合于时下各类电子产品的开发与应用。选择 BAS40-04,215,可为您的设计带来更高的性能与效能!