BAS32L,115
BAS32L,115参数
| 反向恢复时间（trr） | 4ns | 直流反向耐压（Vr） | 75V |
| 平均整流电流（Io） | 200mA | 正向压降（Vf） | 1V @ 100mA |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 100mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | 反向恢复时间 (trr) | 4ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5µA @ 75V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| 供应商器件封装 | LLDS；MiniMelf | 工作温度 - 结 | 200°C（最大） |
BAS32L,115手册
BAS32L,115概述
产品概述：BAS32L,115
BAS32L,115是一款由Nexperia（安世）出品的高性能开关二极管，适用于多种电子应用。该器件采用表面贴装型设计，封装为LLDS（MiniMELF），小巧而功能强大，能够有效应对高频工作环境。其独特的参数和性能使其适用于多种领域，如消费电子、通信、汽车电子和工业应用。
主要特性
反向恢复时间（trr）： BAS32L,115的反向恢复时间为4纳秒，适合用于高频开关电路，能够有效减少开关损耗，提高电路的工作效率。这一快速响应特性使得它在快速开关或脉冲电流应用中表现突出，尤其对于要求高速度和低延迟的电路设计至关重要。
直流反向耐压（Vr）： 该器件的直流反向耐压最大可达75V，足以满足大部分电子电路中的典型要求。这使得BAS32L,115在电压承受能力上能够提供更高的可靠性，确保在各种工作环境中可靠运行，降低由于电压波动造成的损坏风险。
平均整流电流（Io）： BAS32L,115的平均整流电流为200mA，适合于多种直流电源线路。此值能够在大多数应用场景中保持良好的发热性能与稳态运行，是其应用的又一重要参数。
正向压降（Vf）： 在100mA的工作条件下，该器件的正向压降为1V。这使得其在整流应用中具有较低的功率损耗，从而提高整流电路的整体效率。此外，较低的正向压降也意味着更少的热量产生，延长了设备的使用寿命。
反向泄漏电流： 在最大反向电压75V下，该器件的反向泄漏电流为5µA，显示出在高电压下良好的耐久性和稳定性。这一点尤其对于需要长时间稳定工作的线路至关重要。
电容特性： 在0V及1MHz频率条件下，BAS32L,115的电容约为2pF，这一低电容特性使其在高频应用中表现良好，能够保持信号的完整性。
工作温度： BAS32L,115可在高达200°C的结温下工作，表明它能够承受极端的环境条件，适合集成在高温设备中。这种耐高温的特性使其适用于汽车电子或其他严苛的工业应用环境。
适用封装： 所采用的DO-213AC封装类型使得该元件便于在自动化制造过程中进行组装，同时保证了较小的电路板占用面积，能够更灵活地应用于各种设计中。
应用范围
BAS32L,115以其卓越的性能参数，广泛应用于：
- 开关电源：在DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源设计中，作为整流二极管应用。
- 高频开关电路：在信号处理、 高频通信及射频应用中有效用作开关元件。
- 电气保护：在电路中作为反向保护二极管，防止因误操作或短路引起的损坏。
- 低频和高频信号整形：在模拟和数字电路中实现信号的整形和调制。
总结
综上所述，BAS32L,115开关二极管凭借其优异的电气特性、可靠的工作性能以及广泛的应用范围，成为各类电子设计的理想选择。无论是在普通的消费电子产品还是高要求的工业自动化系统中，BAS32L,115均能够提供稳定的性能支持，为设计工程师节省时间与成本，促进产品的迅速上市！