额定功率 | 1.5W | 集电极电流Ic | 4.3A |
集射极击穿电压Vce | 60V | 晶体管类型 | PNP |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4.3A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 60V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 215mV @ 500mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 20nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 2A,1V | 功率 - 最大值 | 1.5W |
频率 - 跃迁 | 120MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-243AA |
供应商器件封装 | SOT-89-3 |
ZXTP2012ZTA 是一款高性能的 PNP 型晶体管,适用于各种高电流和高频应用。此器件在设计时考虑到了多个应用场景的需求,包括但不限于开关、放大和信号处理等领域。其显著的特性和参数使得 ZXTP2012ZTA 成为在电子电路中尤其重要的元器件。
ZXTP2012ZTA 晶体管的设计使其广泛适用于以下应用:
总体而言,ZXTP2012ZTA 是一款性能优异的 PNP 型三极管,具有高功率输出、低功耗和多种应用场景适应性。其在通信、开关、放大等领域的应用,结合高温稳定性和小型化设计,使得该器件能够满足现代电子产品日益增长的复杂性和高性能需求。选择 ZXTP2012ZTA 无疑是提升电子系统性能的明智之选。