漏源电压(Vdss) | 70V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.8A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 160mΩ @ 2.1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.11W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 160 毫欧 @ 2.1A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 18nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 635pF @ 40V | 功率耗散(最大值) | 2.11W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-252-3 | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
ZXMP7A17KTC 是一款高性能的 P 型 MOSFET,设计用于各种电子应用,特别是在低电压和中等电流的条件下。产品的封装形式为 TO-252 (DPAK),适合表面贴装,确保在狭小空间内实现高效的散热和电气连接。由于其出色的电气特性,ZXMP7A17KTC 常被应用于开关电源、马达驱动、负载开关等电路中。
漏源电压(Vdss): ZXMP7A17KTC 最大漏源电压为 70V,这使其在多种工业和消费类电源中都能保持稳定的性能,适合处理大多数典型的电源电压条件。
连续漏极电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,ZXMP7A17KTC 可承受的连续漏极电流为 3.8A,能够为负载提供充足的电流支持。
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该 MOSFET 的栅源阈值电压为 1V @ 250µA,意味着其能够在较低电压下便于触发,提高了电路的灵敏度和响应速度。
漏源导通电阻(Rds(on)): ZXMP7A17KTC 的漏源导通电阻为 160mΩ @ 2.1A, 10V,这一低 Rds(on) 参数能够有效降低通电时的功率损耗,从而提高整体能效。
最大功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 2.11W (Ta=25°C),确保在高负载情况下仍然能够稳定工作。
工作温度范围: ZXMP7A17KTC 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C(TJ),此广泛的温度范围使其适用于苛刻的工作环境,如汽车电子和工业控制。
驱动电压和电容: 该元件在驱动电压范围 4.5V - 10V 下具有优异的性能,输入电容 (Ciss) 最大值为 635pF @ 40V,适合快速开关操作。
ZXMP7A17KTC 的 TO-252 封装设计使其适合表面贴装(SMT)工艺,能够高效地散热并减少PCB占用空间。该封装支持较高的电流传输,适合于紧凑且要求高效率的应用场合。其 DPak(2 引线 + 接片)结构也为散热提供了良好的条件,确保了器件在长时间工作中的稳定性。
ZXMP7A17KTC 可广泛应用于多种电源管理方案,包括:
ZXMP7A17KTC 是一款具备高漏源电压、低导通电阻和宽温工作范围的 P 型 MOSFET,凭借其优异的性能和封装设计,使其成为理想的电源管理和开关控制解决方案。其广泛的应用领域与高可靠性使得 ZXMP7A17KTC 成为设计者和工程师的重要选择。