ZXMN4A06GTA
ZXMN4A06GTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18.2nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 770pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
ZXMN4A06GTA手册
ZXMN4A06GTA概述
ZXMN4A06GTA 产品概述
ZXMN4A06GTA 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，封装形式采用 SOT-223，适用于各种中低功率的电子应用。其主要特点包括可承受的漏源电压（Vdss）高达 40V，连续漏极电流（Id）达 5A（在 25°C 下）。凭借其较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关特性，ZXMN4A06GTA 在功率转换和开关应用中表现出色。
关键参数
漏源电压（Vdss）: ZXMN4A06GTA 的漏源电压可高达 40V，使其在多种电源电压配置中得到广泛应用。这一性能参数确保了元器件能够在高压环境下可靠运行。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境条件下，该器件的连续漏极电流可达 5A。这表明其在处理较高电流的电路中能够有效工作，适用于电机控制、开关电源等应用。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 栅源电压（Vgs）和 4.5A 的条件下，ZXMN4A06GTA 的漏源导通电阻为 50mΩ。这一特性大幅降低了功率损耗，提高了设备的整体能效。
栅源电压阈值（Vgs(th)）: 栅极阈值电压为 1V（在 250µA 的条件下），使得 ZXMN4A06GTA 的驱动控制信号需求较低，从而简化了电路设计并降低了驱动电压的复杂性。
输入电容（Ciss）: 其输入电容为 770pF（在 40V 的条件下），这使得在快速开关应用中，ZXMN4A06GTA 具有较好的响应速度和开关性能。
最大功率耗散（Pd）: 在 25°C 的环境下，ZXMN4A06GTA 最大功率耗散上限为 2W，满足大多数中等功率应用的需求。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，这使得 ZXMN4A06GTA 能够在极端温度条件下稳定工作，适用于汽车、工业控制和航空航天等领域。
应用场景
ZXMN4A06GTA MOSFET 由于其优越的电气性能和强大的热管理能力，适合用于以下场景：
开关电源: 在 DC-DC 转换器及其他电源管理应用中，该 MOSFET 可以作为开关工作，提高转换效率。
电机控制: 由于其能处理较高电流和良好的热特性，ZXMN4A06GTA 常用于电动机驱动电路，帮助实现精确控制和较高效的能量传递。
照明控制: 在 LED 照明和其他照明系统中，该元件可以有效控制电流，确保光源亮度可调且稳定。
信号开关: ZXMN4A06GTA 适合用于低功率信号的开关应用，性能出色且驱动要求低，有助于简化电路设计。
封装与制造商
ZXMN4A06GTA 采用 SOT-223 封装形式，适合表面贴装技术，便于在小型化电路设计中应用。该器件由知名半导体制造商 DIODES（美台）生产，保证了产品品质与可靠性。
总结
总体来看，ZXMN4A06GTA 是一款功能强大、性能优越的 N 通道 MOSFET，凭借其高漏源电压、低导通电阻和广泛的工作温度范围，使其成为中低功率应用的理想选择。无论是电源管理、信号控制还是电机驱动，该 MOSFET 都能提供卓越的解决方案，满足各种电子设备日益增长的性能要求。