ZXMN3A03E6TA
ZXMN3A03E6TA参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.7A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 50mΩ @ 7.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 7.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.6nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 600pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 | 封装/外壳 | SOT-23-6 |
ZXMN3A03E6TA手册
ZXMN3A03E6TA概述
ZXMN3A03E6TA 产品概述
ZXMN3A03E6TA 是一种高效能的 N 沟道 MOSFET，具有广泛的应用潜力，尤其适用于现代电子电路中，能够满足各种高效功率管理需求。由 DIODES（美台）公司生产，此 MOSFET 采用紧凑的 SOT-23-6 封装，极大地优化了空间利用率，尤其适合表面贴装电路设计（SMT）。在以下段落中，我们将深入探讨其规格、应用及优势。
主要规格
漏源电压 (Vdss): ZXMN3A03E6TA 的最大漏源电压为 30V，这一特性使得它非常适合用于中等电压的电源管理和开关电路。其高工作电压能力能够有效防止在高压应用中的故障。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，这款 MOSFET 的连续漏极电流可达到 3.7A，提供了良好的导电能力，适用于大多数低功耗应用。
导通电阻 (Rds(on)): 其最大导通电阻为 50mΩ（在 7.8A 和 10V 的条件下测得），这一低Rds(on)值显著降低了在正常运行状态下的功率损耗，提高了整体效率。
阈值电压 (Vgs(th)): ZXMN3A03E6TA 的栅源极阈值电压为 1V @ 250µA，这意味着它能够在较低的栅驱电压下开启，从而降低功耗。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 时，栅极电荷达到 12.6nC，这对于快速切换应用非常重要，因为较小的栅极电荷可实现更高的开关速度。
输入电容 (Ciss): 输入电容为 600pF @ 25V，保证了在高频应用中的稳定性。
工作温度范围: ZXMN3A03E6TA 的工作温度可以在 -55°C 到 150°C 之间，满足严苛环境下的需求。
封装类型: 采用 SOT-23-6 封装，这使得该器件特别适合于空间受到严格限制的应用场合。
应用领域
ZXMN3A03E6TA 适用于多种应用领域，包括但不限于：
- 电源管理: 适合用于高效电源转换器和电源管理系统。
- 马达驱动: 可用于驱动直流电机或步进电机，特别是需要低导通损耗的低功耗应用场景。
- 开关电路: 作为开关元件在各种自动化设备和消费电子产品中扮演关键角色。
- 负载开关: 可以高效控制负载的接入和切断，常见于汽车电子及智能家居应用。
- LED 驱动: 在 LED 照明设计中，可用于控制开关和调节电流，以实现更为高效的照明解决方案。
优势
ZXMN3A03E6TA 的设计不仅突出其优异的电气性能，而且还确保其在多领域的灵活性。其低导通电阻和小栅极电荷特点，使得该 MOSFET 在开关频率较高的应用中表现出色，且能有效降低功耗与热量产生。工作温度范围广泛，确保其在各种环境条件下均能可靠运行。
结论
综上所述，ZXMN3A03E6TA 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，具有优良的电气特性和工作稳定性，适用于多种应用场景。随着对高效能、低功耗元器件需求的骤增，此元器件无疑将成为电子工程师在开发现代电子产品时的重要选择。同时，DIODES（美台）作为知名电子元器件制造商，其品质和可靠性也让该器件在市场上获得广泛认可。