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ZXMP6A17KTC
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
TO252
包装 :
编带
重量 :
0.362g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.11W 60V 4.4A 1个P沟道 TO-252-2
库存 :
9878(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.37按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.37
--
100+
￥1.83
--
1250+
￥1.59
--
2500+
￥1.5
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
ZXMP6A17KTC参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.4A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 125 毫欧 @ 2.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 637pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 2.11W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
ZXMP6A17KTC手册
无数据
ZXMP6A17KTC概述
产品概述：ZXMP6A17KTC P沟道MOSFET
1. 概述
ZXMP6A17KTC是一款高性能的P沟道MOSFET，专为各种电子应用而设计，具有卓越的电气性能和可靠性。该器件不仅能够在高温和极端条件下保持稳定的性能，而且在低电压驱动和高电流应用中表现出色。这款MOSFET适用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要快速开关和低功耗的应用。
2. 关键技术参数
- FET 类型：P沟道MOSFET
- 技术：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用了先进的半导体工艺，具有高导通性和低导通电阻。
- 漏源电压（Vdss）：60V，提供良好的耐压能力，使其能够在多种工作条件下安全运行。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下可达4.4A，适合高功率应用。
- 驱动电压：该器件的驱动电压范围为4.5V至10V，确保逻辑电路的兼容性和高效开关操作。
- 导通电阻：在2.3A和10V条件下，导通电阻的最大值为125毫欧，表现出优异的导通效率，降低了功耗和发热。
- 门槛电压 (Vgs(th))：最大值为1V@250µA，确保在低电压下即可启动。
- 栅极电荷 (Qg)：在10V驱动下最大为17.7nC，表示该器件具有较低的驱动损耗，适合高速开关应用。
- 输入电容 (Ciss)：最大为637pF@30V，降低了高频应用中的传输损耗。
- 功率耗散：该MOSFET的最大功率耗散为2.11W，适合需要较高功率处理的应用场景。
- 工作温度范围：-55°C至150°C，为器件在恶劣环境下的可靠性提供了保证。
- 封装：采用流行的TO-252（DPak）封装，适合表面贴装技术(SMT)设计，便于在自动化生产线上的组装。
3. 应用领域
ZXMP6A17KTC MOSFET广泛应用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）：在开关电源设计中，该器件可作为开关元件以提高效率和降低损耗。
- 电机控制：适用于低压和中等电流的电机驱动方案，确保平稳和高效的电机运行。
- 负载开关：该MOSFET可以在较低的控制电压下开关较大的负载，是理想的负载开关选择。
- LED驱动：由于其优良的导电能力和低电阻特性，ZXMP6A17KTC可用于高效LED驱动解决方案。
- 电池管理系统（BMS）：在电池管理方案中，MOSFET可以用于电池的充电和保护电路。
4. 结论
ZXMP6A17KTC P沟道MOSFET是一款兼具高压、高电流和低损耗的高性能半导体器件，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用领域，成为现代电子设计中的理想选择。该器件不仅能够满足各种工业和消费电子产品对能效和性能的严格要求，还能够在环境温度和电气条件变化较大的情况下保持其可靠性。因此，无论是在新产品设计还是现有产品的升级中，ZXMP6A17KTC均是值得信赖的解决方案。