ZXMP6A13FTA
ZXMP6A13FTA参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 900mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 400mΩ @ 900mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 625mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 900mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 900mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 219pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 625mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMP6A13FTA手册
ZXMP6A13FTA概述
ZXMP6A13FTA 产品概述
ZXMP6A13FTA 是一款高效能的 P 通道 MOSFET（场效应管），采用 SOT-23-3 封装，主要应用于各种开关电源和监测电路。该器件由领先的半导体制造商 DIODES（美台）生产，专为需要高效能和高可靠性的应用场景而设计。其优异的电学性能和宽广的工作温度范围使得 ZXMP6A13FTA 成为众多电子设计中的理想选择。
主要特性
漏源电压 (Vdss): ZXMP6A13FTA 的漏源电压为 60V，能够满足对高电压的需求，确保在各种条件下的稳定性和可靠性。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下，器件的最大连续漏极电流为 900mA，适合大多数低功耗应用，为电路提供了足够的驱动力。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 此器件的栅源极阈值电压为 1V @ 250µA，确保可以使用较低的驱动电压便捷地开启和关闭，从而提升了系统的整体能效。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 900mA 和 10V 驱动下，导通电阻为 400mΩ，这一低电阻特性能够显著降低工作中的功率损耗，提高输出效率。
功率耗散: 该 MOSFET 的最大功率耗散 rated为 625mW，使其在较高功率的条件下仍保持良好的工作稳定性。
工作温度范围: ZXMP6A13FTA 支持的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，广泛适用于各类极端环境，符合 MIL-STD-202 标准，使其特别适合于汽车、工业和航空等领域的应用。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 219pF @ 30V，这给电路提供了更快的开关速度，能够满足快速操作的要求。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 5.9nC @ 10V，适合快速开关应用，减少了驱动电路的功率消耗。
应用领域
ZXMP6A13FTA 适用于多种电子设计，如：
- 开关电源: 作为开关元件，在不同的电源管理应用中广泛使用。
- 电机驱动: 适于控制小功率直流电机，提供稳定可靠的电流。
- 负载开关: 在负载切换时可有效控制电路，确保安全运行。
- 电池管理系统: 适合应用于电池的开/关管理，提高电池的使用效率和安全性。
封装与安装
ZXMP6A13FTA 采用的是 SOT-23-3 小型表面贴装封装。这种封装设计不仅具有较小的占用空间，还便于自动化贴装，适合现代电子产品的小型化需求。表面贴装技术（SMT）将使得 PCB 的设计更加紧凑、轻便，并有助于提升整体电路的性能。
结论
ZXMP6A13FTA 以其卓越的性能、低功耗、高效率和广泛的应用范围成为现代电子设计的重要组成部分。无论是在消费电子，还是在工业应用中，这款 P 通道 MOSFET 都能够提供稳定的电流控制和优化功率管理。凭借其极高的可靠性和性能，ZXMP6A13FTA 是中到高功率电子设备中不可或缺的器件，必将为您的设计带来更多可能性。