ZXMP10A18KTC
ZXMP10A18KTC参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.8A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 2.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.17W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.8A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 2.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26.9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1055pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 2.17W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
ZXMP10A18KTC手册
ZXMP10A18KTC概述
ZXMP10A18KTC 产品概述
ZXMP10A18KTC 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用能力。该元件由美台（DIODES）品牌生产，采用 TO-252 封装，设计旨在满足各种电子电路中的开关和放大需求。此 MOSFET 具有高达 100V 的漏源电压（Vdss），连续漏极电流（Id）达到 3.8A，适用于需要较高耐压和电流处理能力的应用场合。
关键参数
漏源电压（Vdss）: ZXMP10A18KTC 的最大漏源电压为 100V，这使其可以在高电压操作条件下安全工作，适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及其他高压应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，ZXMP10A18KTC 的最大连续漏极电流为 3.8A。这一特性使其在电源开关和电机驱动器中表现出色，能够应对较大的负载电流。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 本品的栅源极阈值电压为 4V @ 250µA，能够快速开关，无需使用高电压信号，减少了控制电路的复杂性。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 2.8A 和 10V 下，漏源导通电阻为 150mΩ，确保了低功耗和较少的热量产生，有助于提高整体电路的效率。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 2.17W，使其在正常工作条件下能够保持良好的散热性能，同时防止因过载而造成的损坏。
工作温度范围: ZXMP10A18KTC 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适用于各种极端环境，保证其在恶劣条件下的可靠性和稳定性。
封装类型与安装方式
ZXMP10A18KTC 采用 TO-252（也称为 DPAK）封装，这是一个表面贴装型封装，适合于自动装配线加工，能够有效节省空间并提高生产效率。这种封装形式可应用于 PCB 板上，提供良好的散热性能和电性能表现。
应用领域
ZXMP10A18KTC 适用于多种场合，包括但不限于：
电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器等电源管理电路中，ZXMP10A18KTC 可担当开关元件，有效控制输入和输出之间的能量传输。
电机驱动: 其高电流承载能力和极速切换特性，使其非常适合用于电机驱动应用中，以实现能量的有效控制。
负载开关: 可以作为低侧或高侧开关来控制各种负载，提供高效的开关解决方案。
结论
ZXMP10A18KTC 是一款值得信赖的 P 沟道 MOSFET，凭借其卓越的技术参数，广泛的工作温度范围以及适宜的封装形式，能够很好地满足现代电源管理、开关电源及电机控制等领域的需求。其高性能特性使其成为电子设计工程师的理想选择，为各类应用提供了稳定可靠的解决方案。对于那些需要高效、优质且可靠的 MOSFET 元件的产品开发者，ZXMP10A18KTC 将会是一个值得考虑的优秀选择。