ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA 产品概述

概述

ZXMP10A17GTA 是一款高性能的 P沟道增强型 MOSFET（场效应管），广泛用于开关电源、直流-直流变换器及其他功率管理应用。其主要特点包括 100V 的漏源电压（Vdss）和 2.4A 的连续漏极电流（Id），使其在多个电子设计中拥有极佳的适用性和可靠性。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 100V，能够在高压环境中可靠工作，适用于各种工业及消费类电子产品。
• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，该 MOSFET 能够提供连续漏极电流 1.7A，而在适当的散热条件下则能够达到最高 2.4A。这使得它能够应对大多数中小功率控制应用的需求。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为 4V @ 250μA，确保了该产品在较低的栅电压下也能够可靠操作。这一特性使得其能够和许多逻辑电平兼容的电路相结合。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅电压下，漏源导通电阻为 350mΩ @ 2.4A，这意味着能够以较低的能耗工作，降低发热和提高效率。
• 最大功率耗散: 该 MOSFET 在 25°C 的环境下能够支持的最大功率耗散为 2W，为设计提供了相对宽松的热设计空间。

电气特性

1. 导通电阻 (Rds(on)): 随着不同漏极电流（Id）变化，该器件表现出良好的导通电阻特性，最大值为 350mΩ，这使得它在高电流应用中能够获得更高的效率。

2. 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅电压下，栅极电荷最大值为 10.7nC。这一特性对于高频开关应用尤其重要，可以减少开关损耗，从而提高转换效率。

3. 输入电容 (Ciss): 在 50V 的工作条件下，输入电容最大值为 424pF，决定该 MOSFET 在频率较高的开关应用中具有良好的响应时间。

封装与安装

ZXMP10A17GTA 采用 SOT-223 表面贴装型封装，这种封装的优点在于其体积小、散热性能良好，适合现代紧凑型电子设计。封装的类型（TO-261-4，TO-261AA）确保其在大规模生产、自动化贴装及最终用户的便捷处理方面，具有较高的适用性。

应用领域

由于其具备的高耐压、低导通损耗、良好的热性能和兼容的阈值电压，ZXMP10A17GTA 非常适合以下应用：

• 开关电源: 在开关电源设计中，ZXMP10A17GTA 可有效地驱动负载并管理功率转换，确保转换的高效率。
• 电机控制: 可用于各种电机控制应用中，如步进电机和直流电机，提升系统响应速度及控制精度。
• 电源管理: 可以应用于高效的电源管理电路，如电池管理系统中的功率开关。
• 负载开关: 用于连接和断开不同负载的开关电路，广泛应用于消费电子及电气设备中。

结语

ZXMP10A17GTA 凭借其优异的电气特性、良好的热性能和小型封装，成为了一款在高压及高电流条件下可靠的 P沟道 MOSFET 解决方案。无论是在工业应用还是消费电子领域，该器件都能够为设计工程师提供强大的支持，以提升产品的整体性能和效率。