ZXMN6A08E6TA
ZXMN6A08E6TA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.8nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 459pF @ 40V |
| 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
ZXMN6A08E6TA手册
ZXMN6A08E6TA概述
ZXMN6A08E6TA 产品概述
一、产品简介
ZXMN6A08E6TA是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，由知名品牌DIODES（美台）生产，具备出色的电气特性和可广泛应用于现代电子设备的能力。其主要参数包括漏源电压（Vdss）高达60V，连续漏极电流（Id）为2.8A，工作温度范围为-55°C至150°C，这使得ZXMN6A08E6TA在多种环境下都能保持优良的性能。
二、主要参数
漏源电压（Vdss）: ZXMN6A08E6TA的漏源电压高达60V，适合在中等至高电压的负载应用中使用，确保在大多数情况下的安全性和可靠性。
连续漏极电流（Id）: 该器件在25°C环境下的最大连续漏极电流为2.8A，适合用于需要较大电流输出的场合。
导通电阻（Rds(on）: 在10V驱动电压下，器件的最大导通电阻为80毫欧（@4.8A），低导通电阻意味着在开关操作时产生的功耗低，从而提升整体系统效率。
栅极-源极电压（Vgs）: 该产品最大栅极-源极电压为±20V，能够提供灵活的驱动选择，适配不同的控制电路需求。
门源电荷（Qg）: 栅极电荷（Qg）最大为5.8nC（@10V），这允许快速的开关操作，适合高频开关应用。
输入电容（Ciss）: 当Vds为40V时，输入电容（Ciss）最大为459pF，较低的输入电容有助于提升开关速度，降低开关损耗。
功率耗散: 最大功率耗散为1.1W（在25°C环境下），保证了器件的稳定性，使其适合在高功率应用中使用。
温度范围: 工作温度范围为-55°C至150°C，适用于各种极端工作条件下的应用，增强了产品的适应能力。
三、封装和安装
ZXMN6A08E6TA采用SOT-26封装，具有体积小巧、散热性能优良的特点，适合于高密度的电路板设计。表面贴装型的设计简化了自动化组装过程，同时有助于降低生产成本。
四、应用领域
ZXMN6A08E6TA广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理: 在DC-DC转换器、开关电源和直流电动机驱动中发挥关键作用，确保高效稳定的电源输出。
- 信号开关: 可用于多种信号切换应用，包括音频和视频信号的开关控制。
- 负载驱动: 在LED驱动、马达驱动、电热装置等领域提供高效负载开关解决方案。
- 便携式设备: 因其低功耗和高效性，该MOSFET适合用于移动设备和其他对电源效率要求高的产品。
五、总结
ZXMN6A08E6TA是一款高效能的N通道MOSFET，以出色的电气性能、广泛的应用领域和可靠的稳定性在现代电子设计中占据了重要地位。无论是在电源管理还是信号切换中，该器件都能为设计师提供优质的解决方案，提升产品的整体性能和电源效率。其紧凑的SOT-26封装也为设计带来了极大的灵活性，适合在各类电子设备中进行使用。在当今日益追求高效能和小型化的电子设备市场中，ZXMN6A08E6TA无疑是一个理想的选择。