ZVN4525ZTA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

ZVN4525ZTA

商品编码: BM0000287549
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT89
包装 : 
编带
重量 : 
0.212g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 1.2W 250V 240mA 1个N沟道 SOT-89-3
库存 :
2000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
2.73
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.73
--
50+
¥2.1
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

ZVN4525ZTA参数

漏源电压(Vdss)250V连续漏极电流(Id)(25°C 时)240mA
漏源导通电阻8.5Ω @ 500mA,10V栅源极阈值电压1.8V @ 1mA
最大功率耗散(Ta=25°C)1.2W类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)240mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)3.65nC @ 10VVgs(最大值)±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)72pF @ 25V功率耗散(最大值)1.2W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-89-3封装/外壳TO-243AA

ZVN4525ZTA手册

ZVN4525ZTA概述

ZVN4525ZTA 产品概述

一、产品简介

ZVN4525ZTA 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,广泛应用于开关电源、功率管理、电机驱动以及其他需要高效电源开关的电子设备中。其最大漏源电压(Vdss)高达 250V,能够有效应对多种高压应用场景。同时,其设计考虑了大范围的操作温度,从 -55°C 至 150°C,使其具有优越的环境适应能力,适合在各种苛刻条件下使用。

二、主要规格

  1. 漏源电压 (Vdss):250V

    • 该特性使 ZVN4525ZTA 能够在高压应用中稳定工作,如家电、照明设备及工业控制等领域。
  2. 连续漏极电流 (Id):240mA @ 25°C

    • 这个当前配置适合驱动小型负载,如传感器、低功耗电机等。
  3. 漏源导通电阻 (Rds(on)):8.5Ω @ 500mA, 10V

    • 导通电阻直接影响开关损耗,较低的 Rds(on)能够有效提高整体工作效率,降低发热量。
  4. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)):1.8V @ 1mA

    • 低阈值电压允许在较低的控制电压下实现开关功能,便于与微控制器或其他逻辑电路兼容。
  5. 最大功率耗散:1.2W @ Ta = 25°C

    • 该功率等级使 ZVN4525ZTA 能够在不超过其热限制的条件下安全运行,适合多种低功耗应用。
  6. 栅极电荷 (Qg):3.65nC @ 10V

    • 较低的栅极电荷确保快速开关特性,适用于高频开关应用,有助于提高电路的响应速度。
  7. 工作温度范围:-55°C 至 150°C

    • 广泛的工作温区,适合在不同的环境中运行,包括高温或低温应用场景。
  8. 封装类型:SOT-89

    • 小型的表面贴装封装使其适合高密度 PCB 布局,不仅省空间,而且便于自动化贴片。

三、应用领域

ZVN4525ZTA 由于其优异的电气特性,广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:在 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中,可充当开关元件以实现高效能量传递。
  2. 电机驱动:用于控制小型直流电机的速度和方向,是许多电机控制电路中的关键元件。
  3. 照明控制:在 LED 照明系统中,可以通过 PWM 控制调光功能,提升照明效率。
  4. 自动化设备:在家用电器和工业自动化设备中作为控制开关,以达到节能目的。

四、总结

作为 DIODES(美台)品牌下的一款高性能 N 沟道 MOSFET,ZVN4525ZTA 在设计上兼顾了高电压、大电流、低导通电阻及高温度稳定性等多项优势,适应了当前电子行业对高效、可靠元件的需求。选择 ZVN4525ZTA,能够有效提升电路的性能及整体工作效率,为用户提供更为稳健的电力解决方案。