VESD03A1B-HD1-GS08
VESD03A1B-HD1-GS08参数
| 封装/外壳 | SOD-882 | 最大反向工作电压 | 3.3V（max） |
| 击穿电压（最小值） | 5V | 钳位电压VC | 9V |
| 工作温度 | -40°C~125°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| 类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 3.3V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 5V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 9V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3.5A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 31W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 25pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | LLP1006-2L |
VESD03A1B-HD1-GS08手册
VESD03A1B-HD1-GS08概述
VESD03A1B-HD1-GS08 产品概述
产品概述
VESD03A1B-HD1-GS08 是由 VISHAY（威世）公司推出的一款表面贴装的齐纳二极管，主要用于保护电路免受电压瞬变带来的损害，其主要特性包括最大反向工作电压为 3.3V，击穿电压的最小值达到 5V，且具备强大的钳位电压能力（最大 9V）。这种元器件采用 SOD-882 封装，适用于高频率及大功率的电压保护场合。
关键特性
封装与类型: VESD03A1B-HD1-GS08 采用 LLP1006-2L/SOD-882 表面贴装封装，结构紧凑，适合现代电子产品小型化的需求。此外，该型号为单向通道设计，简化了电路布局，使其在多种应用中都能表现出色。
电压特性: 该产品的最大反向工作电压为 3.3V（典型值），在过电压事件发生时，二极管的击穿电压最小值为 5V，能够在相对较高的电压下保持稳定，保障电路的安全性。钳位电压最高可达 9V，提供了额外的保护，以防止设备因电压过高而损坏。
脉冲电流处理能力: VESD03A1B-HD1-GS08 可以处理峰值脉冲电流达到 3.5A（在 8/20µs 的脉冲宽度下），这使得其在面对短时间高压脉冲如静电放电（ESD）时，能够迅速响应并有效地钳制电压，保护后续电路不受影响。
工作温度范围: 该元器件的工作温度范围从 -40°C 到 125°C（TJ），广泛适用于各种严苛环境因素，包括工业、消费电子及汽车电子等多种领域，充分满足了现代电气设备在不同工作条件下的使用需求。
电气特性: 在 1MHz 的工作频率下，该型号的电容为 25pF，具有良好的高频特性，使其适用于高速信号线的保护。此外，其峰值功率能力高达 31W，能够处理瞬态过载情况而不会损毁，为电路的长期可靠性提供了有效保障。
应用场景
VESD03A1B-HD1-GS08 适合多种电子应用，尤其在需要对敏感电子元件进行过压保护的场景下表现突出。典型的应用领域包括：
- 移动设备: 在智能手机、平板电脑等移动终端中，保护其内部电路免受静电释放和电压瞬变的影响。
- 汽车电子: 在汽车控制系统、自动驾驶安全关键模块等场合，确保电路在恶劣环境条件下仍能可靠工作。
- 工业自动化: 在工控设备、传感器及执行机构中，防止电源波动或瞬态干扰导致的损伤。
- 消费电子产品: 在音频设备、家用电器等中提供稳定电源及信号保护。
总结
作为 GA-0 级别的电压保护元件， VESD03A1B-HD1-GS08 无疑是高效、可靠的电压钳制解决方案，提供了优越的设计灵活性和高性能响应。从高频电容到出色的过压保护，该产品为现代电子设备提供了必须的保护，降低了故障风险，同时提高设备的使用寿命。因此，无论是在产品设计阶段，还是实际应用保障中，VESD03A1B-HD1-GS08 都是值得推荐的选项。