US1B-E3/61T
US1B-E3/61T参数
| 反向恢复时间（trr） | 50ns | 直流反向耐压（Vr） | 100V |
| 平均整流电流（Io） | 1A | 正向压降（Vf） | 1V @ 1A |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 100V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 100V | 不同 Vr、F 时电容 | 15pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 供应商器件封装 | DO-214AC（SMA） | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
US1B-E3/61T手册
US1B-E3/61T概述
产品概述：US1B-E3/61T 二极管
概述
VISHAY（威世）的US1B-E3/61T是一种高效快恢复二极管，广泛应用于各种电子电路中，尤其适合需要整流和开关操作的应用场景。这款二极管的设计充分考虑了现代电子设备对可靠性与效率的要求，具备优异的电气性能，以及出色的温度适应能力。以下将详细介绍其主要参数、技术规格及典型应用场景。
主要参数
反向恢复时间（trr）: US1B-E3/61T的反向恢复时间为50纳秒，标志着其在高频开关应用中的优越表现。该特性使其在快速转换的电路中，能够有效抑制开关损耗，从而提高整体效率。
直流反向耐压（Vr）: 该二极管的最大直流反向耐压为100伏特，这使其适用于高压环境，兼容绝大多数二极管应用。
平均整流电流（Io）: 最大的平均整流电流为1安培，意味着该二极管能够承受较大的负载，在工业和家用电器中应用十分广泛。
正向压降（Vf）: 对于1安培的电流，二极管的正向压降为1伏特，较低的正向压降有助于减小功率损耗，提高电路的整体效率。
反向电流泄漏: 在100伏特的电压下，反向泄漏电流仅为10微安，显示出该二极管在反向工作状态下的优异性能，降低了功耗和干扰。
电容特性: 在4伏特，1MHz的测试条件下，二极管的输入电容为15皮法。这使得其在高频环境下具有良好的响应特性，有助于提高高频开关电路的工作效率。
封装与安装
US1B-E3/61T采用DO-214AC（SMA）封装，表面贴装设计使其在自动化生产线上易于使用。此封装形式不仅具有良好的散热性能与机械强度，同时也能够适应大规模的生产工艺要求，满足高密度布局的需求。
工作温度范围
US1B-E3/61T的工作结温范围为-55°C至150°C。该宽温度范围保证了其在各种极端环境下的稳定性和可靠性，适合汽车电子、工业设备以及消费电子产品中的各种应用需求。
应用场景
US1B-E3/61T快恢复二极管因其卓越的电气特性，适用于多种应用，包括：
- 开关电源: 由于其快速恢复时间，适合用于开关电源中以提高变换效率。
- 整流电路: 在整流应用中，能够有效降低正向压降，提高电能转化效率。
- 电机驱动: 适合用于直流电机控制电路和驱动模块，提供稳定的反向保护。
- 高频应用: 在高频信号处理电路中，低输入电容特性使其支持高速度切换，确保信号的完整性。
总结
VISHAY的US1B-E3/61T二极管是一款兼具高效性能与可靠性的器件，具有广泛的适用性及出色的电气特性，满足现代电子设备对高效、可靠组件的需求。其快速恢复时间、低正向压降及优良的温度特性，使其成为多种典型应用的理想选择。无论是在开关电源还是整流电路中，US1B-E3/61T都能够展现出卓越的性能，助力用户实现更高的系统效率与稳定性。